[实用新型]一种新型变组分变掺杂反射式MIS结构GaN光电阴极有效
| 申请号： | 201520132625.3 | 申请日： | 2015-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN204809181U | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 董艳燕;沈洋;陈亮;苏玲爱 | 申请（专利权）人： | 中国计量学院 |
| 主分类号： | H01J1/34 | 分类号： | H01J1/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 组分 掺杂 反射 mis 结构 gan 光电 阴极 | ||
【权利要求书】：
1.一种新型变组分变掺杂反射式MIS结构GaN光电阴极，其特征在于：所述的GaN光电阴极由第一ITO导电玻璃(1)、无水乙醇(2)、Cs/O激活层(3)、发射层(4)、AlxGa1-xN缓冲层(5)、C面蓝宝石衬底(6)、以及第二ITO导电玻璃(7)组成；所述的第一ITO导电玻璃(1)置于阴极前端，用来感知表面压电信号；所述的第二ITO导电玻璃(7)置于阴极末端，充当导电接触电极；所述的无水乙醇充当绝缘层材料。
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