[实用新型]一种能厚度精密加工的半导体用铝基板平面切削加工装置有效

专利信息
申请号: 201520135411.1 申请日: 2015-03-10
公开(公告)号: CN204565313U 公开(公告)日: 2015-08-19
发明(设计)人: 表基弘 申请(专利权)人: 阿博株式会社
主分类号: B23D79/00 分类号: B23D79/00
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人: 苏雪雪
地址: 韩国忠清南道牙*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 一种 厚度 精密 加工 半导体 用铝基板 平面 切削 装置
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种用于通常具有0.5~10mm范围的设计厚度并在平板全部地点要求1微米(μm)单位精密度的半导体用金属铝基板的能厚度精密加工的半导体用金属铝基板平面切削加工装置。

背景技术

注册专利10-0872890号(研磨装置)公开一种研磨装置,其特征在于,包括:注入构件,其注入内容物;第1研磨构件,其连接于所述注入构件端部,在端部的研磨部形成有沟槽,使得从注入构件注入的内容物通过在中心部形成的孔移动并研磨;第2研磨构件,其形成有沟槽,使得与所述第1研磨构件的沟槽啮合并研磨内容物;及压力弹簧,其与所述第2研磨构件的形成有沟槽的面的相反面接触,通过端部的压力调节杆而调节压力。

在半导体领域,散热特性优于原有的塑料材质PCB基板的金属(特别是铝)基板的使用呈增加趋势,由于在半导体基板特性上,在位于5~30cm级别平面的全部地点中,厚度允许误差应在数微米以内。以往的研磨装置由于半导体金属基板加工所需的厚度精密加工(平面全部点1μm水平精密度)困难,存在因平面切削后尺寸不良而导致大量发生不良品的问题。

实用新型内容

(要解决的技术问题)

本实用新型旨在提供一种需要平面全部地点厚度误差要求1μm水平以内精密度的厚度高精密加工的半导体金属(铝)基板(例如发热大的LED用金属基板)加工用平面切削加工装置。

本实用新型尤其旨在提供一种金属中铝金属板的精密加工所需的能厚度精密加工的半导体用金属铝基板平面切削加工装置。

(解决问题的手段)

一种能厚度精密加工的半导体用铝基板平面切削加工装置,作为平面切削半导体用铝基板的加工装置,其特征在于,包括:

底部框架,其沿被加工体的移送方向安装;

水平导轨,其沿着所述底部框架与底部框架相互平行地安装;

水平移送块,其沿着所述水平导轨移送被加工体;

真空吸附板部,其配备于所述水平移送块30的上部,真空吸附固定平板形被加工体;

竖直框架,其在所述底部框架的前侧向上竖直地设立;

旋转驱动部,其包括用于使平面切削部旋转的驱动马达,所述旋转驱动部直接或通过竖直升降块结合于所述竖直框架上;

平面切削部,其在旋转体的一端固定有切刀,在借助于所述旋转驱动部而旋转的同时切削所述被加工体的上面;

伸缩套部,其由对位于所述水平导轨前侧的前侧边界壁与水平移送块的前侧之间进行密闭的可伸缩的第1伸缩套、对位于所述水平导轨后侧的后侧边界壁与水平移送块的后侧之间进行密闭的可伸缩的第2伸缩套构成;

控制部,其控制真空吸附板与旋转驱动部。

(实用新型的效果)

本实用新型提供了一种需要平面全部地点厚度误差要求1μm水平以内精密度的厚度高精密加工的半导体金属(铝)基板(例如发热大的LED用金属基板)加工用平面切削加工装置。它可对通常具有0.5~10mm范围的设计厚度并在平板全部地点要求1微米(μm)单位精密度的半导体用金属铝基板的能厚度精密加工的半导体用金属铝基板进行精密平面切削加工,平面切削后尺寸精准从而避免了大量不良品的发生。

附图说明

图1是本实用新型一个实施例的能厚度精密加工的半导体用金属铝基板平面切削加工装置整体立体图。

图2是本实用新型一个实施例的能厚度精密加工的半导体用金属铝基板平面切削加工装置立体图(伸缩套除外)。

图3是本实用新型一个实施例的能厚度精密加工的半导体用金属铝基板平面切削加工装置立体图(包括伸缩套)。

图4是本实用新型一个实施例的能厚度精密加工的半导体用金属铝基板平面切削加工装置中驱动部详细图。

图5是本实用新型一个实施例的能厚度精密加工的半导体用金属铝基板平面切削加工装置动作说明图。

<符号说明>

10:底部框架

20:水平导轨

30:水平移送块

40:真空吸附板部

50:竖直框架

60:旋转驱动部

70:平面切削部

80:伸缩套部

110:竖直导轨

120:竖直升降块

130:第1引导部

140:第2引导部

具体实施方式

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