[实用新型]实现低压到高压的转换电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及转换电路，尤其涉及到实现低压到高压的转换电路。

背景技术

在电源系统中，有低电压转换到高电压的转换，需要把低电压信号传到高电压电路。

发明内容

本实用新型旨在提供一种实现低压到高压的转换电路。

实现低压到高压的转换电路，包括第一PMOS管、第一电阻、第一NMOS管、第二PMOS管、第二电阻、第二NMOS管、第一NPN管、第二NPN管、第一DMOS管和第三电阻：

所述第一PMOS管的栅极接输入IN和所述第一NMOS管的栅极，源极接10V电源，漏极接所述第一电阻的一端；

所述第一电阻的一端接所述第一PMOS管的漏极，另一端接所述第一NMOS管的漏极和所述第二PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极；

所述第一NMOS管的栅极接输入IN和所述第一PMOS管的栅极，源极接地，漏极接所述第一电阻的一端和所述第二PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极；

所述第二PMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极，源极接10V电源，漏极接所述第二电阻的一端；

所述第二电阻的一端接所述第二PMOS管的漏极，另一端接所述第二NMOS管的漏极和所述第一NPN管的集电极和所述第一DMOS管的栅极；

所述第二NMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一NMOS管的漏极和所述第二PMOS管的栅极，源极接地，漏极接所述第二电阻的一端和所述第一NPN管的集电极和所述第一DMOS管的栅极；

所述第一NPN管的基极接所述第二NPN管的基极和集电极和所述第一DMOS管的源极，集电极接所述第二电阻的一端和所述第二NMOS管的漏极和所述第一DMOS管的栅极，发射极接地；

所述第二NPN管的基极和集电极接在一起再接所述第一NPN管的基极和所述第一DMOS管的源极，发射极接地；

所述第一DMOS管的栅极接所述第二电阻的一端和所述第二NMOS管的漏极和所述第一NPN管的集电极，源极接所述第一NPN管的基极和所述第二NPN管的基极和集电极，漏极接所述第三电阻的一端并作为整个转换电路的输出；

所述第三电阻的一端接600V电源，另一端接所述第一DMOS管的漏极并作为整个转换电路的输出。

所述第一PMOS管、所述第一电阻和所述第一NMOS管构成反相器驱动由所述第二PMOS管、所述第二电阻和所述第二NMOS管构成的反相器再去驱动所述第一DMOS管，在设计管子尺寸上可以逐渐增加，提高驱动能力；所述第一电阻和所述第二电阻是为了限流分别保护所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的源漏之间；输入IN和输出OUT相位反向，也即是输入IN为高电平时输出OUT为低电平，输入IN为低电平时输出OUT为高电平，输入的高电平和输出的高电平的电压不同，一个是10V电压，一个是600V电压；所述第一NPN管和所述第二NPN管构成镜像电流，当所述第一DMOS管的栅极电压为高电平时，从600V电源到所述第三电阻和所述第一DMOS管和所述第二NPN管形成有电流的通路，此时输出OUT为低电平，所述第二NPN管的电流通过镜像给所述第一NPN管，使得所述第二PMOS管导通时电流通过所述第二电阻和所述第一NPN管流到地；所述第一DMOS管具有高压工艺结构能够承受650V的耐压。

附图说明

图1为本实用新型的实现低压到高压的转换电路的电路图。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型内容进一步说明。

实现低压到高压的转换电路，如图1所示，包括第一PMOS管101、第一电阻102、第一NMOS管103、第二PMOS管104、第二电阻105、第二NMOS管106、第一NPN管107、第二NPN管108、第一DMOS管109和第三电阻110：

所述第一PMOS管101的栅极接输入IN和所述第一NMOS管103的栅极，源极接10V电源，漏极接所述第一电阻102的一端；

所述第一电阻102的一端接所述第一PMOS管101的漏极，另一端接所述第一NMOS管103的漏极和所述第二PMOS管104的栅极和所述第二NMOS管106的栅极；

所述第一NMOS管103的栅极接输入IN和所述第一PMOS管101的栅极，源极接地，漏极接所述第一电阻102的一端和所述第二PMOS管104的栅极和所述第二NMOS管106的栅极；