[实用新型]智能数字化大功率IGBT驱动装置

权利要求书

1.一种智能数字化大功率IGBT驱动装置，包括隔离电源模块(1)、输入信号转换模块(2)、CPLD数字控制模块(3)、有源嵌位反馈模块(4)、两级退饱和检测模块(5)和di/dt检测模块(6)，CPLD数字控制模块(3)的电源端与隔离电源模块(1)连接，CPLD数字控制模块(3)的第一输入端(I1)、第二输入端(I2)、第三输入端(I3)和第四输入端(I4)分别与输入信号转换模块(2)、有源嵌位反馈模块(4)、两级退饱和检测模块(5)以及di/dt检测模块(6)的输出端连接，有源嵌位反馈模块(4)的输入端和两级退饱和检测模块(5)的输入端均与IGBT模块(8)的集电极(C)连接，di/dt检测模块(6)的输入端与IGBT模块(8)的发射极(E)连接，其特征在于，还包括多级门极电阻驱动模块(7)，所述多级门极电阻驱动模块(7)包括变门极电阻单元(9)以及并联连接的第一门极开通电阻(Rgon1)、第一门极关断电阻(Rgoff1)、第二门极开通电阻(Rgon2)和第二门极关断电阻(Rgoff2)，变门极电阻单元(9)的输入端与CPLD数字控制模块(3)的第一输出端(O1)连接，第一门极开通电阻(Rgon1)、第一门极关断电阻(Rgoff1)、第二门极开通电阻(Rgon2)和第二门极关断电阻(Rgoff2)的输入端分别通过四个开关(S1、S2、S3、S4)与变门极电阻单元(9)的输出端连接，第一门极开通电阻(Rgon1)、第一门极关断电阻(Rgoff1)、第二门极开通电阻(Rgon2)和第二门极关断电阻(Rgoff2)的输出端均与IGBT模块(8)的门极(G)连接。

2.根据权利要求1所述的智能数字化大功率IGBT驱动装置，其特征在于，变门极电阻单元(9)包括两个漏极相连接的第一NMOS管(N1)和第二NMOS管(N2)以及两个源极相连的第一PMOS管(P1)和第二PMOS管(P2)，第一NMOS管(N1)的源极与第一PMOS管(P1)的漏极连接，第二NMOS管(N2)的源极与第二PMOS管(P2)的漏极连接。

3.根据权利要求1或2所述的智能数字化大功率IGBT驱动装置，其特征在于，所述开关(S1、S2、S3、S4)为功率MOSFET。

4.根据权利要求3所述的智能数字化大功率IGBT驱动装置，其特征在于，隔离电源模块(1)包括DC/DC变换器(11)和欠压保护模块(12)，欠压保护模块(12)与DC/DC变换器(11)的输出端连接,欠压保护模块(12)的输出端与CPLD数字控制模块(3)的电源端连接。

5.根据权利要求4所述的智能数字化大功率IGBT驱动装置，其特征在于，CPLD数字控制模块(3)的第二输出端(O2)连接有报警器(10)。

6.根据权利要求5所述的智能数字化大功率IGBT驱动装置，其特征在于，CPLD数字控制模块(3)的第三输出端(O3)连接有LED指示模块(13)。