[实用新型]发光元件结构有效

专利信息
申请号: 201520144954.X 申请日: 2014-11-06
公开(公告)号: CN204614808U 公开(公告)日: 2015-09-02
发明(设计)人: 丁绍滢;黄冠杰;黄靖恩;黄逸儒 申请(专利权)人: 新世纪光电股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/58
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 何青瓦
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发光 元件 结构
【权利要求书】:

1.一种发光元件结构,其特征在于,该发光元件结构包含:

发光单元,用于发出光线;

封装单元,用于包覆该发光单元,该封装单元包含封装胶体及多个波长转换粒子,该多个波长转换粒子分散于该封装胶体中;

透明导光结构,设置于该封装单元上;

第一周期性次波长微结构,形成于该透明导光结构的表面,该第一周期性次波长微结构的折射率小于该透明导光结构的折射率,其中该第一周期性次波长微结构具有多孔及周期性图案,且相邻两孔中心之间的距离小于从该透明导光结构通过该第一周期性次波长微结构的光线的波长。

2.根据权利要求1所述的发光元件结构,其特征在于,该多个波长转换粒子包含荧光粉或量子点。

3.根据权利要求1所述的发光元件结构,其特征在于,该第一周期性次波长微结构以蚀刻或沉积方式形成在该透明导光结构的表面上。

4.根据权利要求1所述的发光元件结构,其特征在于,该发光元件结构还包含:

第二周期性次波长微结构,形成于该透明导光结构及该封装单元之间,该第二周期性次波长微结构的折射率小于该透明导光结构的折射率而大于该封装单元的折射率,其中该第二周期性次波长微结构具有多孔及周期性图案,且相邻两孔中心之间的距离小于从该封装单元通过该第二周期性次波长微结构的光线的波长。

5.根据权利要求4所述的发光元件结构,其特征在于,该第二周期性次波长微结构以蚀刻或沉积方式形成在该透明导光结构的表面上。

6.一种发光元件结构,其特征在于,该发光元件结构包含:

发光单元,用于发出光线;

封装单元,用于包覆该发光单元,该封装单元包含封装胶体及多个波长转换粒子,该多个波长转换粒子分散于该封装胶体中;

透明导光结构,设置于该封装单元上;

第一周期性次波长微结构,形成于该透明导光结构表面,该第一周期性次波长微结构的折射率小于该透明导光结构的折射率,其中该第一周期性次波长微结构具有周期性图案,使得从该透明导光结构通过该第一周期性次波长微结构的光线不产生绕射。

7.根据权利要求6所述的发光元件结构,其特征在于,该多个波长转换粒子包含荧光粉或量子点。

8.根据权利要求6所述的发光元件结构,其特征在于,该第一周期性次波长微结构以蚀刻或沉积方式形成在该透明导光结构的表面上。

9.根据权利要求6所述的发光元件结构,其特征在于,该发光元件结构还包含:

第二周期性次波长微结构,形成于该透明导光结构及该封装单元之间,该第二周期性次波长微结构的折射率小于该透明导光结构的折射率而大于该封装单元的折射率,其中该第二周期性次波长微结构具有周期性图案,使得从该封装单元通过该第二周期性次波长微结构的光线不产生绕射。

10.根据权利要求9所述的发光元件结构,其特征在于,该第二周期性次波长微结构以蚀刻或沉积方式形成在该透明导光结构的表面上。

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