[实用新型]晶圆固定装置和气相沉积装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体加工制造领域，特别涉及一种晶圆固定装置和气相沉积装置。

背景技术

在高密度等离子体化学气相沉积(HDP CVD)工艺中，晶圆吸附在晶圆固定装置上进行气相沉积制程。

如图1a所示，现有的晶圆固定装置包括晶圆吸盘100和圈体200，晶圆吸盘100用于吸附晶圆，并通过圈体200固定，以保证晶圆吸盘100的工艺尺寸，确保气相沉积制程的稳定性。

继续参考图1a，晶圆吸盘100包括平台101以及设置于平台101中心部位的凸台102，凸台102的侧壁上设置有第一斜切面103，相应的，在圈体200的内壁上设有第二斜切面201。组装时，如图1a所示，按照箭头方向，将圈体200套在凸台102上，并放置于平台101上，同时通过第一斜切面103与第二斜切面201的相互配合，来定位圈体200的安装方向，所述晶圆固定装置组装后的状态，可参阅图1b。

在进行气相沉积制程时，首先将所述晶圆固定装置放置于反应腔(chamber)内，然后利用所述晶圆固定装置将晶圆固定于反应腔内，同时在所述反应腔的下方会安装有分子泵用以产生等离子体。然而，实践中发现，所述分子泵在运转过程中会产生震动，而且在开关所述分子泵时震动会更大。这样，如果所述反应腔内的相关部件没有被充分固定，所述分子泵运转或开关时产生的震动，会导致反应腔内的相关部件如晶圆固定装置位置发生滑动或位移。

具体地说，对于晶圆固定装置而言，若圈体200发生偏移势必会影响制程稳定性，进而影响产品质量。并且，由于晶圆吸盘100和圈体200仅是通过第一斜切面103与第二斜切面201来进行定位，二者的相对位置没有被充分固定，因此，分子泵运转或开关时产生的震动会导致圈体200产生滑动，继而圈体200会受到凸台102对其的作用，而导致圈体200因受力不平衡而发生变形，与此同时晶圆吸盘100和圈体200之间的缝隙又设置得非常小，致使极易出现圈体与晶圆吸盘卡住的问题。一旦圈体200与晶圆吸盘100卡住，就需要对圈体200进行破坏从而将其取出，这种破坏性取出的方式不仅会对反应腔内的精密部件造成损伤，严重时还会导致晶圆吸盘100的损坏，并且还会产生颗粒，从而污染反应腔内的真空环境。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种晶圆固定装置，所述晶圆固定装置中的圈体和晶圆吸盘之间的相对位置可以被充分固定，从而减少晶圆固定装置的损耗，降低使用成本，并确保气相沉积制程的稳定性，进而提升产品质量。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种晶圆固定装置，包括晶圆吸盘和圈体；其中，所述晶圆吸盘上设置有至少四个对称分布的卡合部，所述圈体上设置有与所述卡合部相配合的卡合配合部。

进一步的，在所述的晶圆固定装置中，所述晶圆吸盘包括一平台以及设置于所述平台中心部位的凸台，所述凸台和所述圈体相配合。

进一步的，在所述的晶圆固定装置中，所述至少四个卡合部的形状和尺寸相同。

进一步的，在所述的晶圆固定装置中，所述至少四个卡合部的形状相同，但是其中一个卡合部的尺寸与其余卡合部的尺寸不同。

进一步的，在所述的晶圆固定装置中，所述至少四个卡合部中，其中一个卡合部的形状与其余卡合部的形状不同。

进一步的，在所述的晶圆固定装置中，所述卡合部为凸起，所述卡合配合部为通孔，所述凸起与所述通孔相互卡接。

进一步的，在所述的晶圆固定装置中，所述凸台的侧壁上设置有第一斜切面，所述圈体的内壁上设置有与所述第一斜切面相配合的第二斜切面。

进一步的，在所述的晶圆固定装置中，所述凸台的侧壁上设置有延伸部，所述圈体的内壁上设置有与所述延伸部相配合的凹槽。

进一步的，在所述的晶圆固定装置中，所述凸起设置于所述平台的外周边沿。

进一步的，在所述的晶圆固定装置中，所述凸起和所述通孔间的配合间隙，与所述凸台和所述圈体间的配合间隙相同。

进一步的，在所述的晶圆固定装置中，所述凸起和所述通孔平行于所述平台的横截面采用圆心角为90°～180°的扇形。

进一步的，在所述的晶圆固定装置中，，所述通孔的深度比所述凸起的高度大0.5～1.0mm。

进一步的，在所述的晶圆固定装置中，所述凸起和所述通孔的配合间隙为0.05～0.1mm。

此外，本实用新型还提供了一种气相沉积装置，包括真空腔体和如上所述晶圆固定装置，所述晶圆固定装置设置于所述真空腔体内。