[实用新型]Si/SiO2/石墨烯/钯多层结构高性能氢气传感器有效
| 申请号： | 201520165090.X | 申请日： | 2015-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN204514848U | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 谭文虎;黄新堂;余则太;葛镜 | 申请（专利权）人： | 华中师范大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12;G01N27/26 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 乔宇 |
| 地址： | 430079 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | si sio sub 石墨 多层 结构 性能 氢气 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.Si/SiO2/石墨烯/钯多层结构高性能氢气传感器，包括基底和基底表面覆盖的传感薄膜，其特征在于：所述的传感薄膜为Si/SiO2基底层、石墨烯层和钯晶粒层按由下而上的顺序依次复合而成的Si/SiO2/石墨烯/钯多层复合结构。
2.根据权利要求1所述的Si/SiO2/石墨烯/钯多层结构高性能氢气传感器，其特征在于：所述的氢气传感器包括金电极，所述的金电极与石墨烯层相连。
3.根据权利要求1所述的Si/SiO2/石墨烯/钯多层结构高性能氢气传感器，其特征在于：所述的基底为陶瓷管。
4.根据权利要求1所述的Si/SiO2/石墨烯/钯多层结构高性能氢气传感器，其特征在于：所述的石墨烯层通过粘合剂粘接在Si/SiO2基底层上，所述石墨烯层的厚度为0.4-1.2nm。
5.根据权利要求1所述的Si/SiO2/石墨烯/钯多层结构高性能氢气传感器，其特征在于：所述的钯晶粒层由在石墨烯上磁控溅射而得，所述钯晶粒层的厚度为1.5-2 nm。
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