[实用新型]一种蘑菇型人工磁导体结构及偶极子天线和单端电感

权利要求书

1.一种蘑菇型人工磁导体结构，其特征在于：包括两条呈十字型交叉、长度相等的中心金属条，两条中心金属条的交叉处通过金属过孔接地，每条中心金属条上还带有若干一端与其所接触的中心金属条垂直的垂直金属条，所述垂直金属条的长度是中心金属条的一半，每条中心金属条上的垂直金属条数量相等，且呈中心对称分布。

2.根据权利要求1所述的蘑菇型人工磁导体结构，其特征在于：位于两条中心金属条的十字型右上与左下部分的垂直金属条为横向金属条，位于两条中心金属条的十字型左上与右下部分的垂直金属条为纵向金属条。

3.根据权利要求1所述的蘑菇型人工磁导体结构，其特征在于：位于两条中心金属条的十字型右上与左下部分的垂直金属条为纵向金属条，位于两条中心金属条的十字型左上与右下部分的垂直金属条为横向金属条。

4.根据权利要求1所述的蘑菇型人工磁导体结构，其特征在于：所述蘑菇型人工磁导体结构为CMOS工艺结构第一层或其他非顶层金属构成。

5.根据权利要求1所述的蘑菇型人工磁导体结构，其特征在于：所述中心金属条和垂直金属条的宽度为1.8-2.2微米，垂直金属条之间的间隙与中心金属条的宽度相等，中心金属条的长度为81-99微米。

6.一种加载了蘑菇型人工磁导体结构的偶极子天线，其特征在于：所述偶极子天线由CMOS工艺结构的顶层金属构成，分为两个单臂，两个单臂的中心处为馈点，所述CMOS工艺结构的第一层金属为由4×10个权利要求1-5任意一项所述的蘑菇型人工磁导体结构。

7.根据权利要求6所述的加载了蘑菇型人工磁导体结构的偶极子天线，其特征在于：所述偶极子天线单臂长为438.5-536.5微米，宽为11-14微米。

8.一种加载了蘑菇型人工磁导体结构的单端电感，其特征在于：所述单端电感包括由CMOS工艺结构的顶层金属构成的螺旋电感线，和由次顶层金属构成的金属过线，所述CMOS工艺结构的第一层金属为3×3个权利要求1-5任意一项所述的蘑菇型人工磁导体结构，所述蘑菇型人工磁导体结构位于螺旋电感线的正下方。

9.根据权利要求8所述的加载了蘑菇型人工磁导体结构的单端电感，其特征在于：所述螺旋电感线的外径为252-308微米，螺旋电感线与过线宽为9-11 微米，螺旋电感线的间距为0.8-1.2微米。