[实用新型]一种三叠层非晶锗硅薄膜太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201520170639.4 申请日: 2015-03-25
公开(公告)号: CN204497252U 公开(公告)日: 2015-07-22
发明(设计)人: 李帅锋;沈一清;赵振国;屈良钱;王飞 申请(专利权)人: 浙江长兴汉能光伏有限公司
主分类号: H01L31/0687 分类号: H01L31/0687;H01L31/0224
代理公司: 湖州金卫知识产权代理事务所(普通合伙) 33232 代理人: 赵卫康
地址: 313100 浙江省湖州*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 三叠层非晶锗硅 薄膜 太阳能电池
【权利要求书】:

1.一种三叠层非晶锗硅薄膜太阳能电池,包括基板(1),所述基板(1)上依次设置TCO层(2)、光电转换层和背电极层,其特征在于:所述光电转换层由三结叠层串联组成,包括P1-I1-N1层(4)、P2-I2-N2层(6)和P3-I3-N3层(7),所述P1-I1-N1层(4)与TCO层(2)连接,所述P3-I3-N3层(7)与背电极层连接,所述P2-I2-N2层(5)设置在P1-I1-N1层(4)和P3-I3-N3层(7)之间;所述P1-I1-N1层(4)和P2-I2-N2层(6)以及P2-I2-N2层(6)和P3-I3-N3层(7)之间均设有中间层(5);所述背电极层包括反射层(8)和导电层(9)。

2.根据权利要求1所述的一种三叠层非晶锗硅薄膜太阳能电池,其特征在于:所述中间层(5)为ZnO层。

3.根据权利要求1所述的一种三叠层非晶锗硅薄膜太阳能电池,其特征在于:所述反射层(8)为GZO层。

4.根据权利要求1所述的一种三叠层非晶锗硅薄膜太阳能电池,其特征在于:所述导电层(9)为ITO层。

5.根据权利要求1所述的一种三叠层非晶锗硅薄膜太阳能电池,其特征在于:所述TCO层(2)设有陷光结构。

6.根据权利要求5所述的一种三叠层非晶锗硅薄膜太阳能电池,其特征在于:所述TCO层(2)与光电转换层之间设有减反层(3)。

7.根据权利要求6所述的一种三叠层非晶锗硅薄膜太阳能电池,其特征在于:所述减反层(3)为氮化硅层。

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