[实用新型]用于多晶硅还原炉的底盘组件有效

专利信息
申请号: 201520179793.8 申请日: 2015-03-27
公开(公告)号: CN204625193U 公开(公告)日: 2015-09-09
发明(设计)人: 姚心;汪绍芬;严大洲 申请(专利权)人: 中国恩菲工程技术有限公司
主分类号: C01B33/03 分类号: C01B33/03
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 宋合成
地址: 100038*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 用于 多晶 还原 底盘 组件
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及多晶硅生产技术领域,具体而言,涉及一种用于多晶硅还原炉的底盘组件。

背景技术

现有的多晶硅还原炉,多个进气管在底盘上均匀分布,以便气体在还原炉内分布均匀。一般认为底盘上的进气管越多、分布越均匀越好。

实用新型内容

本实用新型提出一种用于对晶硅还原炉的底盘组件,该用于多晶硅还原炉的底盘组件能够突破传统设计思路,具有提高炉内气流循环效率以提高多晶硅的生产效率,且不易倒棒等优点。

为实现上述目的,根据本实用新型提出一种用于多晶硅还原炉的底盘组件,所述用于多晶硅还原炉的底盘组件包括:底盘本体,所述底盘本体内限定有冷却腔,所述底盘本体上设有与所述冷却腔连通的冷却液进口和冷却液出口;多个电极,多个所述电极设在所述底盘本体上;多个中心进气管,多个所述中心进气管设在所述底盘本体的中心处;多个外圈进气管组,多个所述外圈进气管组设在所述底盘本体的外周缘处且沿所述底盘本体的周向间隔开设置,每个所述外圈进气管组包括排列成环形的多个外圈进气管;多个排气管,多个所述进气管设置在所述底盘本体上且位于多个所述电极的外侧。

根据本实用新型的用于多晶硅还原炉的底盘组件具有能够提高炉内气流循环效率以提高多晶硅的生产效率高,且不易倒棒等优点。

另外,根据本实用新型的用于多晶硅还原炉的底盘组件还可以具有如下附加的技术特征:

所述中心进气管为五个,其中,一个所述中心进气管设在所述底盘本体的中心,另外四个所述中心进气管沿所述底盘本体的周向等间距设置。

所述外圈进气管组为四个,每个所述外圈进气管组包括三个所述外圈进气管。

每个所述外圈进气管组中的三个所述外圈进气管排列成圆环形且沿所述圆环形的周向等间距设置。

所述排气管为四至八个且沿所述底盘本体的周向等间距设置。

所述电极为三十六对且分布在所述底盘本体的第一至第五圈上,所述第一至第五圈为以所述底盘本体的中心为圆心且由内至外依次增大的四个同心圆。

所述第一圈上分布有两对所述电极,所述第二圈上分布有四对所述电极,所述第三圈上分布有八对所述电极,所述第四圈上分布有八对所述电极,所述第五圈上分布有十四对所述电极。

所述用于多晶硅还原炉的底盘组件还包括:进气环管,所述进气环管上设有进气口且设置在所述底盘本体下方;多个进气支管,多个所述进气支管连接在所述进气环管上,多个所述中心进气管与一个所述进气支管相连,每个所述外圈进气管组中的多个所述外圈进气管与一个所述进气支管相连。

所述底盘本体包括:底盘法兰;上底板,所述上底板设在所述底盘法兰内;下底板,所述下底板设在所述底盘法兰内且位于所述上底板下方,所述下底板与所述上底板和所述底盘法兰限定出所述冷却腔;多个导流板,多个所述导流板设在所述冷却腔内且在所述冷却腔内限定出多个螺旋流道,所述冷却液进口和所述冷却液出口与多个所述螺旋流道连通。

所述上底板为碳钢和不锈钢复合板,所述下底板均为碳钢板。

附图说明

图1是根据本实用新型实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件的俯视图。

图2是根据本实用新型实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件的侧视图。

附图标记:用于多晶硅还原炉的底盘组件10、底盘本体100、电极200、中心进气管300、外圈进气管组400、外圈进气管410、排气管500、进气环管600、进气支管700。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,旨在用于解释本实用新型,而不能理解为对本实用新型的限制。

下面参考附图描述根据本实用新型实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件10。其中,下述上下方向均以多晶硅还原炉正常使用时的上下方向为准。

如图1和图2所示,根据本实用新型实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件10包括底盘本体100、多个电极200、多个中心进气管300、多个外圈进气管组400和多个排气管500。

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