[实用新型]一种自偏置CMOS差分放大器及一种积分器有效
申请号: | 201520184428.6 | 申请日: | 2015-03-30 |
公开(公告)号: | CN204810238U | 公开(公告)日: | 2015-11-25 |
发明(设计)人: | 刘华瑞;马清杰 | 申请(专利权)人: | 中航(重庆)微电子有限公司 |
主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45;H03F1/30 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 吴俊 |
地址: | 401331 重庆*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 偏置 cmos 差分放大器 积分器 | ||
1.一种自偏置CMOS差分放大器,其特征在于,包括:
一对差分输入晶体管,用于输入一对差分电压信号;
一个作为尾电流源的自偏置晶体管,为该对差分输入晶体管提供尾电流,该自偏置晶体管以二极管连接的方式将漏极耦合到栅极。
2.根据权利要求1所述自偏置CMOS差分放大器,其特征在于,所述一对差分输入晶体管中的一个晶体管M1与电源电压VDD之间连接有一个负载晶体管M3,一对差分输入晶体管中的另一个晶体管M2与电源电压VDD之间连接有一个负载晶体管M4,其中晶体管M3的栅极连接到其漏极且晶体管M3和晶体管M4两者的栅极连接在一起作为电流镜结构,设置晶体管M4与晶体管M2互连处的公共节点为输出端节点。
3.根据权利要求2所述自偏置CMOS差分放大器,其特征在于,所述晶体管M1和晶体管M2为N型晶体管,所述晶体管M3和晶体管M4为P型晶体管。
4.根据权利要求1所述自偏置CMOS差分放大器,其特征在于,所述自偏置晶体管为一N型晶体管,所述自偏置晶体管连接在一对差分输入晶体管和接地端之间。
5.一种具有权利要求1所述的自偏置CMOS差分放大器的积分器,其特征在于,所述积分器包括:
一CMOS差分放大器;
一电容,所述电容耦合在所述一对差分输入晶体管中的反相输入端和自偏置CMOS差分放大器的输出端之间;
一开关电路,所述开关电路与所述电容并联。
6.根据权利要求5所述的自偏置CMOS差分放大器的积分器,其特征在于,所述开关电路包含互补的一个P型MOS管和一个N型MOS管,开关电路中P型MOS管的源极和N型MOS管的漏极连到电容的一端,开关电路中P型MOS管的漏极和N型MOS管的源极连到电容的另一端,开关电路中P型MOS管的栅极和N型MOS管的栅极分别对应受到一对互补的控制信号的驱动。
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