[实用新型]射频消融设备有效
| 申请号： | 201520188836.9 | 申请日： | 2015-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN204683759U | 公开（公告）日： | 2015-10-07 |
| 发明（设计）人： | 李勤波 | 申请（专利权）人： | 四川锦江电子科技有限公司 |
| 主分类号： | A61B18/12 | 分类号： | A61B18/12 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 610045 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 射频 消融 设备 | ||
1.一种射频消融设备，其特征在于，包括：
多个消融电极；
多个射频功率组件，与所述多个消融电极一一对应连接，用于向对应的消融电极发出射频信号；以及
射频信号控制单元，与所述多个射频功率组件相连接，用于控制所述多个射频功率组件。
2.根据权利要求1所述的射频消融设备，其特征在于，所述射频信号控制单元输出射频驱动信号，所述射频驱动信号控制所述多个射频功率组件输出相同频率和相位的射频信号。
3.根据权利要求1或2所述的射频消融设备，其特征在于，所述多个射频功率组件同时输出所述射频信号。
4.根据权利要求3所述的射频消融设备，其特征在于，所述多个射频功率组件具有相同或者不同的输出功率。
5.根据权利要求1所述的射频消融设备，其特征在于，每个所述射频功率组件包括：
射频功率放大电路，用于向对应的消融电极输出所述射频信号；
检测电路，与所述射频功率放大电路对应的消融电极相连接，用于检测所述射频功率放大电路对应的消融电极的消融温度；
控制电路，与所述射频信号控制单元相连接；以及
射频功率调节电路，与所述射频功率放大电路和所述控制电路均相连接，用于调节所述射频功率放大电路的输出功率。
6.根据权利要求5所述的射频消融设备，其特征在于，所述射频功率调节电路用于调节所述射频功率放大电路的供电电压。
7.根据权利要求6所述的射频消融设备，其特征在于，所述射频功率调节电路为降压式变换电路。
8.根据权利要求5所述的射频消融设备，其特征在于，所述射频功率放大电路还用于接收射频驱动信号。
9.根据权利要求5所述的射频消融设备，其特征在于，所述射频功率放大电路包括：
MOSFET驱动电路，用于产生一对互补的驱动信号；
一对推挽工作的MOSFET，与所述MOSFET驱动电路相连接，用于根据所述互补的驱动信号对射频信号进行推挽放大；
隔离输出变压器，与所述推挽工作的MOSFET相连接，用于对推挽放大后的射频信号进行隔离和变压。
10.根据权利要求5所述的射频消融设备，其特征在于，所述检测电路还与所述射频功率放大电路相连接，用于将所述射频功率放大电路运行参数发送给所述控制电路。
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