[实用新型]一种计算机主板智能开机电路有效

专利信息
申请号: 201520193761.3 申请日: 2015-04-02
公开(公告)号: CN204613864U 公开(公告)日: 2015-09-02
发明(设计)人: 黄枧清 申请(专利权)人: 深圳市昱普科技有限公司
主分类号: G06F1/26 分类号: G06F1/26
代理公司: 深圳市明日今典知识产权代理事务所(普通合伙) 44343 代理人: 罗志强
地址: 518000 广东省深圳市宝安区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 计算机 主板 智能 开机 电路
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及计算机主板技术领域,特别涉及一种计算机主板电路。

背景技术

计算机主板是构成计算机最主要的组件之一,现今的计算机主板主要为PCB板,PCB板除了固定各种小电子零件外,其主要功能还有提供各种电子零件的相互电气连接。现有的计算机只能通过人工手动开机或BIOS寄存器设置来实现电脑智能来电自启动的目的,程序复杂,操作不便。

实用新型内容

为了解决上述技术问题,本实用新型公开一种计算机主板智能开机电路,本实用新型采用如下技术方案来解决上述技术问题:

一种计算机主板智能开机电路,包括信号源模块、电路控制模块、智能控制模块和开关机模块,所述信号源模块、电路控制模块和开关机模块依次接通,所述智能控制模块连接于所述电路控制模块;所述信号源模块由待机电压信号源或RSMRST信号源部分和限流电阻组成;所述控制模块由延时电路和第二MOS管组成,所述智能控制模块包括GPIO和第一MOS管,所述开关机模块包括滤波电路和电源开关。

优选的,在上述的一种计算机主板智能开机电路中,所述延时电路包括第一电容、第二电阻,所述第一电容一端与所述信号源模块相连,另一端连接所述第二MOS管G极;所述第二电阻一端连接所述第二MOS管G极,另一端接地;所述第二MOS管S极接地,D极通过第三电阻连接电流输入源。

优选的,在上述的一种计算机主板智能开机电路中,还包括保护电路,所述保护电路为二极管且所述二极管正极接地负极连接于所述第二MOS管G极使得所述二极管与所述第二电阻并联。

优选的,在上述的一种计算机主板智能开机电路中,所述智能控制模块还包括第一电阻、第四电阻、第八电阻,所述GPIO通过所述第一电阻与所述第一MOS管G极接通,所述第一MOS管S极接地,D极通过所述第四电阻连接电流输入源,所述第八电阻连接于所述第一MOS管D极与所述第二MOS管G极之间。

优选的,在上述的一种计算机主板智能开机电路中,所述GPIO默认为低电平。

优选的,在上述的一种计算机主板智能开机电路中,所述开关机模块还包括第七电阻,所述电源开关通过所述第七电阻连接于所述第二MOS管D极,所述滤波电路为第二电容,所述第二电容一端连接于所述第二MOS管D极,另一端接地。

与现有技术相比,本实用新型具有如下技术效果:

本实用新型方案,通过新颖的硬件设计和GPIO控制来实现电脑的硬件智能来电开机的功能,达到不依靠人工开机或BIOS寄存器设置来实现电脑智能来电自起动的目的;实现每次电脑在关机后再来电启动时能准确无误的启动,既不能来电后不启动需要人工启动又不能产生误动作,结构简单,成本低廉,性能可靠,操作方便。

附图说明

图1为本实用新型框架图

图2为本实用新型电路图

具体实施方式

下面对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚的描述。显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。

如图1、图2所示,本实用新型公开一种计算机主板智能开机电路,包括信号源模块1、电路控制模块2、智能控制模块3和开关机模块4,信号源模块1、电路控制模块2和开关机模块4依次接通,智能控制模块3连接于电路控制模块2;信号源模块1由待机电压信号源或RSMRST信号源部分和限流电阻组成;控制模块2由延时电路和第二MOS管组成,智能控制模块3包括GPIO和第一MOS管,开关机模块4包括滤波电路和电源开关。

延时电路包括第一电容C1、第二电阻R2,第一电容C1一端与信号源模块1相连,另一端连接第二MOS管Q2G极;第二电阻R2一端连接第二MOS管Q2G极,另一端接地;第二MOS管Q2S极接地,D极通过第三电阻R3连接电流输入源。

在电路控制模块2中还包括保护电路,保护电路为二极管D1且所述二极管D1正极接地负极连接于第二MOS管Q2G极使得二极管D1与第二电阻R2并联。

智能控制模块3还包括第一电阻R1、第四电阻R4、第八电阻R8,GPIO通过第一电阻R1与第一MOS管Q1G极接通,第一MOS管Q1S极接地,D极通过第四电阻R4连接电流输入源,第八电阻R8连接于第一MOS管Q1D极与第二MOS管Q2G极之间,上述智能控制模块3中GPIO默认为低电平。

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