[实用新型]降低结露的蚀刻装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及蚀刻技术的蚀刻装置，尤其涉及一种可在蚀刻制程中降低结露的蚀刻装置。

背景技术

在半导体制程内，将微影制程前所沉积的薄膜，依照光阻覆盖的情况以化学反应或是物理作用的方式去除，达到将光照图案转移至薄膜的步骤就是所谓的蚀刻制程。蚀刻技术依照需求不同，可分为干蚀刻以及湿蚀刻，形式上则分为等向性蚀刻以及非等向性蚀刻，其中，等向性蚀刻指的是薄膜遭受每一个方向均等量的蚀刻，而非等向性蚀刻则是指薄膜遭受固定方向，尤其以垂直方向的蚀刻为主，一般来说，非等向性蚀刻的结果是比较符合预期的。干式蚀刻是以电浆，而非湿式的溶液，来进行薄膜蚀刻的一种半导体制程技术，能够非等向性蚀刻为其显着的优点。干式蚀刻之所以具有非等向性，主要是利用粒子轰击的物理现象来进行的关系，而且，这种粒子轰击不但可以在被蚀刻的薄膜上进行，也可以在光阻上发生，因此，干式蚀刻的应用范围相当广泛。

原则上，使用干式蚀刻技术可以达到与湿式蚀刻技术相同的结果，甚至更好，在P型硅基板的正中央上方制作一层氧化硅形成闸极，值得注意的是，使用干式蚀刻技术必须要形成气体离子。一般干式蚀刻机台会在外部加上电磁波使气体原子转变成气体离子，同时在硅晶圆上外加正电压，吸引带负电的气体离子加速向下射向氧化硅，并且与氧化硅反应，来达到蚀刻的效果。

然而，在现有的蚀刻制程中，在缓冲区域容易产生露水，影响硬件设备。

实用新型内容

本实用新型的主要目的，在于提供一种降低结露的蚀刻装置，将氮气导入缓冲区，可以维持缓冲区内干燥，避免因结露产生冷凝水。

为达上述目的，本实用新型设计的一种降低结露的蚀刻装置，包括：一个蚀刻腔室，具有一个下电极；一个缓冲区，设置在该蚀刻腔室下方；一个流体输送管，一端连接一个流体源，另一端穿越该缓冲区连接该蚀刻腔室的下电极；以及一个第一氮气管，连接该缓冲区，输送氮气至该缓冲区。其中，该流体源可提供冷却水或是气体。

另外，本实用新型还具有一个第二氮气管，装设于该缓冲区的另一端，并输送氮气至该缓冲区。

前述的第一氮气管以及该第二氮气管是以锁固的方式连接该缓冲区。

另外，本实用新型还包括一个氮气量侦测装置，设置在该缓冲区内，当该缓冲区内的氮气含量下降至预设值，该氮气量侦测装置会发送讯号，该第一氮气管输送氮气至该缓冲区，同样地，第二氮气管也可输送氮气至该缓冲区。

附图说明

图1是本实用新型提供的一种降低结露的蚀刻装置的第一实施例的示意图；

图2是本实用新型提供的一种降低结露的蚀刻装置的第二实施例的示意图。

附图符号说明：

11    蚀刻腔室

111  下电极

12   缓冲区

13   流体输送管

14   流体源

15   第一氮气管

16   第二氮气管

17   氮气量侦测装置

具体实施方式

为了能够更清楚地描述本实用新型所提出的一种降低结露的蚀刻装置的架构，以下将配合说明与附图，详细说明本新型的技术特征。

请参见图1，是本实用新型提供的一种降低结露的蚀刻装置的第一实施例的示意图。如图1所示，本实用新型是一种降低结露的蚀刻装置，包括：一个蚀刻腔室11，具有一个下电极111；一个缓冲区12，设置在该蚀刻腔室11下方；一个流体输送管13，一端连接一个流体源14，另一端穿越该缓冲区12连接该蚀刻腔室11的下电极111；以及一个第一氮气管15，连接该缓冲区12，输送氮气至该缓冲区12。其中，该流体源14可提供冷却水或是气体。由于流体源14输送冷却水或是气体至下电极111时，会在缓冲区12产生冷凝水，造成不便，因此，加装了氮气管来改善，通过通入氮气解决这个问题。

请参见图2，是本实用新型提供的一种降低结露的蚀刻装置的第二实施例的示意图。本实用新型的第二实施例与第一实施例的不同点在于第二实施例所使用的氮气管为复数，如图2所示，另一个第二氮气管16装设在该缓冲区12的另一端，并输送氮气至该缓冲区12。使用多个氮气管能够避免缓冲区12内氮气填充不完全的问题，也能够在短时间内快速充填，更可避免因为氮气管阻塞无法输送氮气的突发状况。请注意，在本实用新型中，氮气管的数量并不限于上述的两根管，实际应用时，能够依照状况随时增加，本新型以第二氮气管来表示氮气管可以为复数。