[实用新型]输入端内导体非均匀分布的多路大功率合成器

权利要求书

1.一种输入端内导体非均匀分布的多路大功率合成器，其特征在于其包括：外导体腔体(1)、主路内导体(2)、多个输入端内导体(4、5)及绝缘支柱(3)；

其中，多个所述输入端内导体(4、5)设置于所述外导体腔体(1)中与所述外导体腔体(1)形成多个输入端同轴导体，所述主路内导体(2)通过所述绝缘支柱(3)同轴架设于所述外导体腔体(1)中与所述外导体腔体(1)形成主路同轴导体，多个所述输入端内导体(4、5)的一端分别与所述主路内导体(2)的一端连接；

多个所述输入端内导体(4、5)在与所述主路内导体(2)连接的平面内是沿圆周非均匀分布，并且多个所述输入端内导体(4、5)的轴线分别与所述主路内导体(2)的轴线垂直；

多个所述输入端内导体(4、5)包括：具有阶梯阻抗的内导体(4)及具有均匀阻抗的内导体(5)。

2.根据权利要求1所述的输入端内导体非均匀分布的多路大功率合成器，其特征在于其包括6个所述输入端内导体(4、5)；其中，所述具有阶梯阻抗的内导体(4)在与所述主路内导体(2)连接的平面内是沿顺时针方向分布于圆周的0°、90°、180°及270°的位置；所述具有均匀阻抗的内导体(5)在与所述主路内导体(2)连接的平面内是沿顺时针方向分布于圆周的45°及225°的位置。

3.根据权利要求2所述的输入端内导体非均匀分布的多路大功率合成器，其特征在于其中所述具有阶梯阻抗的内导体(4)是由多节同种材料制成的具有不同横截面积的圆柱形导体构成，所述具有均匀阻抗的内导体(5)是由同种材料制成的具有相同横截面积的圆柱形导体构成。

4.根据权利要求1所述的输入端内导体非均匀分布的多路大功率合成器，其特征在于其中所述外导体腔体(1)包括：下段腔体(7)及多个上段腔体(8)，所述下段腔体(7)及多个所述上段腔体(8)具有圆形截面；

所述下段腔体(7)一端开口，另一端设置上盖板(6)，并以所述上盖板(6)封闭该端；多个所述上段腔体(8)设置于所述下段腔体(7)上部， 且靠近所述上盖板(6)，其一端开口，另一端与所述下段腔体(7)连接；其中，多个所述上段腔体(8)在与所述下段腔体(7)连接的平面内是沿圆周非均匀分布，并且多个所述上段腔体(8)的轴线分别与所述下段腔体(7)的轴线垂直；

多个所述输入端内导体(4、5)是分别同轴设置于多个所述上段腔体(8)中与所述上段腔体(8)形成多个所述输入端同轴导体，其中多个所述输入端内导体(4、5)分别与多个所述上段腔体(8)的开口形成多个同轴输入端；

所述主路内导体(2)是通过所述绝缘支柱(3)同轴架设于所述下段腔体(7)中与所述下段腔体(7)形成所述主路同轴导体，其中所述主路内导体(2)与所述下段腔体(7)的开口形成同轴输出端。

5.根据权利要求4所述的输入端内导体非均匀分布的多路大功率合成器，其特征在于其包括6个所述上段腔体(8)，6个所述上段腔体(8)在与所述下段腔体(7)连接的平面内是沿顺时针方向分布于圆周的0°、45°、90°、180°、225°及270°的位置。

6.根据权利要求1所述的输入端内导体非均匀分布的多路大功率合成器，其特征在于其中在所述外导体腔体(1)的外表面上设有散热结构(9)。

7.根据权利要求4所述的输入端内导体非均匀分布的多路大功率合成器，其特征在于其中在所述下段腔体(7)的外表面上设有散热结构(9)；所述散热结构(9)为圆片状，设置于所述上段腔体(8)与所述下段腔体(7)的开口之间。

8.根据权利要求1所述的输入端内导体非均匀分布的多路大功率合成器，其特征在于其中所述外导体腔体(1)、所述主路内导体(2)及所述输入端内导体(4、5)均由铝合金棒或铜棒加工而成。

9.根据权利要求4所述的输入端内导体非均匀分布的多路大功率合成器，其特征在于其中所述上盖板(6)是由铝合金板或铜板加工而成。

10.根据权利要求1所述的输入端内导体非均匀分布的多路大功率合成器，其特征在于其中所述绝缘支柱(3)为聚四氟绝缘支柱，通过金属螺钉与所述主路内导体(2)及所述外导体腔体(1)固定。