[实用新型]高通量组合半导体材料芯片合成设备

权利要求书

1.一种高通量组合半导体材料芯片合成设备，包括进样室(5)和以进样室(5)为中心的两条样品传递方向上设有的设备，其特征在于，沿第一样品传递杆(1)的传递方向依次设有第一样品传递杆(1)、进样室(5)和超高真空主沉积腔室(7)，沿第二样品传递杆(2)的传递方向依次设有第二样品传递杆(2)、后处理退火与气氛腔(6)、进样室(5)和手套箱(3)；

超高真空主沉积腔室(7)的顶部设有样品台(8)，超高真空主沉积腔室(7)的侧壁上设有PLD伸缩靶台(9)、电子束源(10)和掩膜板装置(11)，超高真空主沉积腔室(7)的侧壁还设有与PLD伸缩靶台(9)的激光扫描区域相应的激光入射口(12)；

PLD伸缩靶台(9)与样品台(8)的距离小于电子束源(10)与样品台(8)的距离；

掩膜板装置(11)上装设有掩膜板和掩膜板的传动控制装置；

进样室(5)与超高真空主沉积腔室(7)和手套箱(3)之间均设有插板阀(4)。

2.根据权利要求1所述的一种高通量组合半导体材料芯片合成设备，其特征在于，超高真空主沉积腔室(7)的本底真空度≤6×10^-7Pa，进样室(5)和后处理退火与气氛腔(6)的本底真空度≤6×10^-4Pa。

3.根据权利要求1所述的一种高通量组合半导体材料芯片合成设备，其特征在于，超高真空主沉积腔室(7)配置有至少四路气体，使用多通道气体流量仪控制。

4.根据权利要求1所述的一种高通量组合半导体材料芯片合成设备，其特征在于，PLD伸缩靶台(9)采用倾斜偏轴布局，即处在激光扫描区域的靶源中轴线相对于样品台中轴线偏离，同时PLD伸缩靶台(9)的法向与样品台法向成30°或45°的角度；PLD伸缩靶台(9)设有至少五个靶源位置，采用转盘型或者直线型排布，每个靶源可以自转，所有靶源位置可以通过公转或直线运动切换到激光扫描区域；PLD伸缩靶台(9)可直线伸缩。

5.根据权利要求1所述的一种高通量组合半导体材料芯片合成设备，其特征在于，PLD伸缩靶台(9)位于超高真空主沉积腔室(7)的上部,从侧面沿水平方向引入超高真空主沉积腔室(7)。

6.根据权利要求1所述的一种高通量组合半导体材料芯片合成设备，其特征在于，电子束源(10)位于超高真空主沉积腔室(7)的下部，从侧面沿水平方向引入超高真空主沉积腔室(7)。

7.根据权利要求1所述的一种高通量组合半导体材料芯片合成设备，其特征在于，电子束源(10)设有至少五个坩埚位置，采用直线型排布，可进行直线坩埚换位。

8.根据权利要求2所述的一种高通量组合半导体材料芯片合成设备，其特征在于，进样室(5)与超高真空主沉积腔室(7)之间的插板阀(4)为超高真空插板阀，进样室(5)与手套箱(3)之间的插板阀(4)为高真空插板阀。

9.根据权利要求1所述的一种高通量组合半导体材料芯片合成设备，其特征在于，掩膜板装置(11)从侧面沿水平方向引入超高真空主沉积腔室(7)，掩膜板装置(11)上的掩膜板可通过掩膜板的传动控制装置做水平位移和纵向位移。

10.根据权利要求1所述的一种高通量组合半导体材料芯片合成设备，其特征在于，超高真空主沉积腔室(7)外侧配置有与激光入射口(12)相应的x-y二维扫描装置(91)，x-y二维扫描装置(91)所折射后的激光沿水平方向由激光入射口(12)进入超高真空主沉积腔室(7)内。

11.根据权利要求1所述的一种高通量组合半导体材料芯片合成设备，其特征在于，超高真空主沉积腔室(7)从顶部引入倒置样品台(8)的支架与其传动控制装置，样品台(8)上设有原位退火装置、原位旋转装置和纵向位移装置。

12.根据权利要求1所述的一种高通量组合半导体材料芯片合成设备，其特征在于，第一样品传递杆(1)设有直线推送装置和原位旋转装置。

13.根据权利要求1所述的一种高通量组合半导体材料芯片合成设备，其特征在于，第二样品传递杆(2)设有直线推送装置。