[实用新型]降低硅片摩擦的装置有效
申请号: | 201520218036.7 | 申请日: | 2015-04-13 |
公开(公告)号: | CN204614768U | 公开(公告)日: | 2015-09-02 |
发明(设计)人: | 陶龙忠;胡亚洲;杨灼坚;张尧;李海波 | 申请(专利权)人: | 苏州润阳光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L31/18 |
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地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 降低 硅片 摩擦 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及晶硅太阳能电池生产领域,特别涉及一种降低硅片摩擦的装置。
背景技术
目前,晶硅太阳能电池生产线上大多数未设置降低硅片摩擦的装置,对于生产晶硅电池厂家来说,在扩散上舟和丝网印刷上篮都存在严重的硅片绒面摩擦划伤的风险,而这种硅片间的绒面划伤对电池的效率和良品率都是很不利的。因此,本实用新型提供一种降低硅片摩擦的装置是非常有必要的。本实用新型通过向管道通入气体,利用气体吹向硅片使硅片之间产生一定的距离从而实现硅片上料时自动分离,避免了上料时硅片间的摩擦,从而减少了硅片绒面的摩擦损伤,对提升电池良品率和效率大有帮助。该装置具有使用方便,结构简单,制造成本低等优点。
发明内容
为了克服上述缺陷,本实用新型提供了一种降低硅片摩擦的装置,实现硅片上料时自动分离,避免了上料时硅片间的摩擦。
本实用新型为了解决其技术问题所采用的技术方案是:一种降低硅片摩擦的装置,包括放置硅片的托盘,在所述托盘的侧边设有开有小孔的气管,所述小孔朝向硅片方向设置,所述气管连接外部气源,所述气管上设有调节气流流量大小的控制阀。
作为本实用新型的进一步改进,所述气管设置于硅片的两侧,所述气管是可以形成回路或者是断路的。
作为本实用新型的进一步改进,所述气管是塑料的或是可以塑性变形的材质。
作为本实用新型的进一步改进,所述气管的开孔方向是水平的或是倾斜的。
作为本实用新型的进一步改进,所述气管的开口小孔直径为0.1毫米到5毫米且小孔均匀分布在气管上。
作为本实用新型的进一步改进,所述气管上的小孔的间距为10厘米到30厘米。
本实用新型的有益效果是:本实用新型能够实现硅片上料时自动分离,避免了上料时硅片间的摩擦,从而减少了硅片绒面的摩擦损伤,对提升电池良品率和效率大有帮助。该装置具有使用方便,结构简单,制造成本低等优点。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图;
图中标示:1-托盘;2-气管;3-控制阀。
具体实施方式
为了加深对本实用新型的理解,下面将结合实施例和附图对本实用新型作进一步详述,该实施例仅用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型保护范围的限定。
图1示出了本实用新型一种降低硅片摩擦的装置的一种实施方式,包括放置硅片的托盘1,在所述托盘1的侧边设有开有小孔的气管2,所述小孔朝向硅片方向设置,所述气管2连接外部气源,所述气管2上设有调节气流流量大小的控制阀3。所述气管2设置于硅片的两侧,所述气管是可以形成回路或者是断路的。所述气管2是塑料的或是塑性变形的材质。所述气管2的开孔方向是水平的或是倾斜的。所述气管2的开口小孔直径为0.1毫米到5毫米且小孔均匀分布在气管上。所述气管2上的小孔的间距为10厘米到30厘米。通过向气管2通入气体,利用气体吹向硅片使硅片之间产生一定的距离从而实现硅片上料时自动分离,避免了上料时硅片间的摩擦,从而减少了硅片绒面的摩擦损伤。
上述仅为本实用新型的实施例,当然,根据实际需求和进一步的改进还可以有其他实施方法。但是,应该明确的是,基于类似上述的或者其他没有表述出的具有相同构思的实施方法的变换,均应包涵在本发明权利要求的保护范围之中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造