[实用新型]高出光LED芯片的封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及LED芯片制造技术领域，尤其涉及一种高出光LED芯片的封装结构。

背景技术

LED芯片是LED等的核心部件，主要功能是将电能转化为光能，目前传统LED芯片具体的结构其由上至下依次包括透明导电层、第一透光层、发光层、第二透光层、反射层及衬底等，该结构中各层都采用导电材料制作，该种LED芯片用衬底连接负电极，在透明导电层上采用打线的方式连接正电极。

制作该种LED芯片时因所使用的衬底为可导电之半导体结构，上述虽然制成垂直式芯片是最为直接合理的作法，但封装后无法克服因电极遮蔽造成的出光量下降等问题。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是：提供一种可有效提高出光率、避免电极遮蔽的高出光LED芯片的封装结构。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为：提供一种高出光LED芯片的封装结构，包括高出光LED芯片及基板，

所述基板包括碗杯及通孔，所述通孔至少为两个且布于碗杯的两侧，所述通孔内填充有导电材料，所述碗杯内及与通孔之间的基板上设置有导电层，所述导电层与导电材料电连接；

所述高出光LED芯片包括正电极、负电极、由上至下依次设置的透明导电层、第一透光层、发光层、第二透光层、反射层及衬底，所述透明导电层包括基部及沿竖直方向设置在基部下部的所述正电极，所述第一透光层、发光层、第二透光层、反射层及衬底上沿竖直方向设置有通道，所述通道的内壁面与正电极的外壁面之间有间隙，所述正电极插接在通道内并穿过所述通道，所述负电极设置在衬底下部；

所述高出光LED芯片设置在所述碗杯内，所述导电层与高出光LED芯片正电极及负电极电连接。

进一步地，所述导电材料的底部设置有插针引脚。

进一步地，所述导电层的底部设置散热层，所述导电层部分覆盖所述散热层。

进一步地，所述高出光LED芯片所在碗杯内填充有荧光粉。

进一步地，所述间隙内填充有绝缘材料。

本实用新型的有益效果在于：本实用新型中的高出光LED芯片设置正电极及负电极，该正电极向上连接透明导电层，负电极设置在衬底上并与衬底电连接，加电后该高出光LED芯片的中的正电极、各层状结构及负电极形成回路，封装于基板上后与导电层及导电材料实现电连接。本实用新型封装结构不用进行打线处理，由于电极及导电层设置在底部，克服了电极造成的遮光现象，使出光量及出光效率进一步提升。

附图说明

图1为本实用新型实施例的高出光LED芯片的封装结构的整体结构剖视图；

图2为本实用新型实施例的高出光LED芯片的封装结构的部分结构结构剖视图；

图3为本实用新型实施例的高出光LED芯片的封装结构中高出光LED芯片的结构示意图。

标号说明：

1、高出光LED芯片；101、透明导电层；102、第一透光层；103、发光层；104、第二透光层；105、反射层；106、衬底；107、绝缘材料；108、封口胶；109、绝缘层；110、正电极；111、负电极；2、基板；21、通孔；22、碗杯；3、导电层；4、散热层；5、导电材料；6、插针引脚；7、荧光粉。

具体实施方式

为详细说明本实用新型的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。

本实用新型最关键的构思在于：本实施例中高出光LED芯片1的正电极110及负电极111设置在底部，并与基板2上设置在碗杯22内的导电层3及导电材料5实现回路，由于电极及导电层3设置在底部，克服了电极造成的遮光现象。

请参阅图1至图3，本实施例高出光LED芯片1的封装结构，包括高出光LED芯片1及基板2，

所述基板2包括碗杯22及通孔21，所述通孔21至少为两个且布于碗杯22的两侧，所述通孔21内填充有导电材料5，所述碗杯22内及与通孔21之间的基板2上设置有导电层3，所述导电层3与导电材料5电连接；

所述高出光LED芯片1包括正电极110、负电极111、由上至下依次设置的透明导电层101、第一透光层102、发光层103、第二透光层104、反射层105及衬底106，所述透明导电层101包括基部及沿竖直方向设置在基部下部的所述正电极110，所述第一透光层102、发光层103、第二透光层104、反射层105及衬底106上沿竖直方向设置有通道，所述通道的内壁面与正电极110的外壁面之间有间隙，所述正电极110插接在通道内并穿过所述通道，所述负电极111设置在衬底106下部；