[实用新型]一种具有梯度结构的铜铟镓硒薄膜太阳能电池有效
申请号: | 201520222844.0 | 申请日: | 2015-04-14 |
公开(公告)号: | CN204497246U | 公开(公告)日: | 2015-07-22 |
发明(设计)人: | 李廷凯;李晴风;钟真 | 申请(专利权)人: | 湖南共创光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/0352 |
代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人: | 马强;刘佳芳 |
地址: | 421001 湖南省衡*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 梯度 结构 铜铟镓硒 薄膜 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池和具有梯度结构的薄膜太阳能电池,特别是具有梯度结构的铜铟镓硒薄膜太阳能电池结构。
背景技术
国外的太阳能电池研究和生产,大致可以分为三个阶段,即有三代太阳能电池。
第一代太阳能电池,基本上是以单晶硅和多晶硅基单一组元的太阳能电池为代表。仅注重于提高光电转换效率和大规模生产,存在着高的能耗、劳动密集、对环境不友善和高成本等问题,其产生电的价格约为煤电的2~3倍;直至2014年,第一代太阳能电池的产量仍占全球太阳能电池总量的80-90%。
第二代太阳能电池为薄膜太阳能电池,是近几年来发展起来的新技术,它注重于降低生产过程中的能耗和工艺成本,专家们称其为绿色光伏产业。与单晶硅和多晶硅太阳能电池相比,其薄膜高纯硅的用量为其的1%,同时,低温(大约200℃左右)等离子增强型化学气相沉积沉积技术,电镀技术,印刷技术被广泛地研究并应用于薄膜太阳能电池的生产。由于采用低成本的玻璃、不锈钢薄片,高分子基片作为基板材料和低温工艺,大大降低了生产成本,并有利于大规模的生产。目前已成功研发的薄膜太阳能电池的材料为:CdTe,其光电转换效率为16.5%,而商业产品约为12%左右;CulnGaSe(CIGS),其光电转换效率为19.5%,商业产品为12%左右;非晶硅及微晶硅,其光电转换效率为8.3~15%,商业产品为7~12%,近年来,由于液晶电视的薄膜晶体管的研发,非晶硅和微晶硅薄膜技术有了长足的发展,并已应用于硅基薄膜太阳能电池。围绕薄膜太阳能电池研究的热点是,开发高效、低成本、长寿命的光伏太阳能电池。它们应具有如下特征:低成本、高效率、长寿命、材料来源丰富、无毒,科学家们比较看好非晶硅薄膜太阳能电池。目前占最大份额的薄膜太阳能电池是非晶硅太阳能电池,通常为pin结构电池,窗口层为掺硼的P型非晶硅,接着沉积一层未掺杂的i层,再沉积一层掺磷的N型非晶硅,并镀电极。专家们预计,由于薄膜太阳能电池具有低的成本,高的效率,大规模生产的能力,在未来的10~15年,薄膜太阳能电池将成为全球太阳能电池的主流产品。
非晶硅电池一般采用PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition—等离子增强型化学气相沉积)方法使高纯硅烷等气体分解沉积而成的。此种制作工艺,可以在生产中连续在多个真空沉积室完成,以实现大批量生产。由于沉积分解温度低,可在玻璃、不锈钢板、陶瓷板、柔性塑料片上沉积薄膜,易于大面积化生产,成本较低。在玻璃衬底上制备的非晶硅基太阳能电池的结构为:Glass/TCO/p-a-SiC/i-a-Si/n-a-Si/TCO,在不锈钢衬底上制备的非晶硅基太阳能电池的结构为:SS/ZnO/n-a-Si/i-a-Si/p-na-Si/ITO。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的