[实用新型]一种等离子体源

说明书

技术领域

本实用新型涉及金属表面处理工艺技术领域，更具体地说，涉及一种等离子体源。

背景技术

在光学薄膜行业，真空镀膜机通常使用APS(Advance Plasma Source)作为辅助镀膜的等离子体源。等离子体源产生的等离子体会对真空镀膜机的腔体进行破坏，等离子体源中的许多部件均是由金属材料制成，在一定的使用参数下，产生的等离子体轰击在金属表面，发生打火的现象，严重的会造成镀膜光洁度变差，主要体现在几微米至几十微米的小亮点数量骤增。最终限制了工艺窗口，并降低了设备使用寿命。

目前，为减少等离子体对腔体的蚀刻损伤，一般都会对真空腔体内部的金属表面做阳极氧化处理。在金属表面做阳极氧化处理时，针对铝及合金进行氧化处理，通常利用电解液和特定的工艺条件，在外加电流的作用下，于铝及其合金表面形成一层氧化铝薄膜，针对不锈钢进行氧化处理，使用同样的氧化处理方法时，通常会有损失。例如，在对真空镀膜机中的铝环、充氧环以及钢环进行表面氧化处理时，由于充氧环中有管路，不能浸泡液体，因此不能利用传统的氧化方法进行表面氧化处理。

实用新型内容

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种等离子体源，能够有效避免等离子体与等离子体源中的金属直接作用而造成打火现象。

为实现上述目的，本实用新型提供了一种等离子体源，包括：

用于产生电子的阴极；

加热器，所述加热器设置于所述阴极下方，对所述阴极进行加热；

用于接收所述阴极产生的电子并产生等离子体的阳极管，所述阳极管包括铝环、充氧环以及钢环；

所述铝环、所述充氧环以及所述钢环的表面均设置有隔离层，所述隔离层用于隔离所述等离子体与所述铝环、所述充氧环以及所述钢环接触。

优选的，在上述等离子体源中，所述隔离层为氧化钇层、氧化锆层或者氧化铝层。

优选的，在上述等离子体源中，所述氧化钇层、所述氧化锆层或者所述氧化铝层的厚度范围均为100μm-200μm。

优选的，在上述等离子体源中，所述氧化钇层的厚度为150μm。

优选的，在上述等离子体源中，所述阴极为材料为LaB6的阴极。

优选的，在上述等离子体源中，所述铝环和设置于所述铝环下表面的所述充氧环位于所述阳极管的顶部，所述钢环位于所述阳极管的中部。

从上述技术方案可以看出，本实用新型所提供的一种等离子体源，包括：用于产生电子的阴极；加热器，所述加热器设置于所述阴极下方，对所述阴极进行加热；用于接收所述阴极产生的电子并产生等离子体的阳极管，所述阳极管包括铝环、充氧环以及钢环；所述铝环、所述充氧环以及所述钢环的表面均设置有隔离层，所述隔离层用于隔离所述等离子体与所述铝环、所述充氧环以及所述钢环接触。本实用新型通过在所述铝环、所述充氧环以及所述钢环的表面均设置有隔离层，阻挡了阳极管产生的大密度等离子体对阳极管中的金属进行轰击作用，避免了打火现象，保护了等离子体源中的金属表面不受污染。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本实用新型提供的一种等离子体源示意图；

图2为本实用新型提供的一种等离子体源阳极管示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。