[实用新型]一种抗干扰耳机电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及耳机抗干扰技术，特别是涉及一种抗干扰耳机电路。

背景技术

随着技术的发展，耳机越来越多的被广大用户所接纳，应用于不同场合。耳机是人的随身音响的象征。耳机分为两种标准：OMTP标准通常被叫做国标，CTIA被称为国际标准。耳机根据其换能方式分类，主要有：动圈方式、动铁方式、静电式和等磁式。从结构上功能方式进行分类，可分为半开放式和封闭式；从佩带形式上分类则有耳塞式，挂耳式，入耳式和头戴式；从佩戴人数上分类则有单人耳机和多人耳机；从音源上区别，可以分为有源耳机和无源耳机；有源耳机也常被称为插卡耳机。

但是现有技术中的耳机容易存在干扰问题，虽然现有技术中的部分耳机电路经过抗干扰技术改良，例如在插头上套装磁环，一方面增加了成本，另一方面效果一般。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种抗干扰耳机电路，能有效避免干扰，结构简单，降低成本。

为了达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种抗干扰耳机电路，包括扬声器SPEAKER、麦克风MIC及插头PLUG，扬声器SPEAKER与插头PLUG之间设置磁珠，麦克风MIC与插头PLUG之间设置磁珠。

较佳地，所述扬声器包括SPEAKER-L和SPEAKER-R两个接口，插头PLUG包括PLUG-M+、PLUG-AG、PLUG-R及PLUG-L四个接口，麦克风MIC上设置场效应管FET，SPEAKER-L接口的引脚1与PLUG-L接口之间连接一磁珠D1，SPEAKER-R接口的引脚1与PLUG-R接口之间连接一磁珠D2，场效应管FET的引脚1与PLUG-M+接口之间连接一磁珠D3。

较佳地，所述SPEAKER-L接口的引脚2与SPEAKER-R接口的引脚2并联后串联一开关S1，开关S1的另一端与麦克风MIC的场效应管FET的引脚1连接。

较佳地，所述场效应管FET与电容C1、C2、C3并联后连接插头PLUG的PLUG-AG接口。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：通过在扬声器与插头之间、麦克风与插头之间设置磁珠，磁珠能起到较好的抗干扰效果，与传统的磁环相比，简化了结构，降低了成本，安全可靠。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

本实用新型的主旨在于克服现有技术的不足，提供一种抗干扰耳机电路，通过添加磁珠，结构简单，减少了成本，且能有效的抗干扰。下面结合实施例参照附图进行详细说明，以便对本实用新型的技术特征及优点进行更深入的诠释。

本实用新型的结构示意图如图1所示，一种抗干扰耳机电路，包括扬声器SPEAKER、麦克风MIC及插头PLUG，扬声器SPEAKER与插头PLUG之间设置磁珠，麦克风MIC与插头PLUG之间设置磁珠。

作为本实用新型的较佳实施例，所述扬声器包括SPEAKER-L和SPEAKER-R两个接口，SPEAKER-L接口包括引脚1和引脚2，SPEAKER-R接口包括引脚1和引脚2，插头PLUG包括PLUG-M+、PLUG-AG、PLUG-R及PLUG-L四个接口，麦克风MIC上设置场效应管FET（Field Effect Transistor缩写），PLUG-M+用于接收麦克风传输过来的信号，PLUG-AG为模拟地接口。

为了达到较好的抗干扰效果，本实用新型的扬声器的SPEAKER-L接口的引脚1与PLUG-L接口之间连接一磁珠D1，SPEAKER-R接口的引脚1与PLUG-R接口之间连接一磁珠D2，场效应管FET的引脚1与PLUG-M+接口之间连接一磁珠D3。当然，本实用新型并不西安与此，磁珠D1、D2、D3可以由其他电感元器件代替。

另外，如图1所示，所述SPEAKER-L接口的引脚2与SPEAKER-R接口的引脚2并联后串联一开关S1，开关S1的另一端与麦克风MIC的场效应管FET的引脚1连接。

在本实用新型中，所述场效应管FET与电容C1、C2、C3并联后连接插头PLUG的PLUG-AG接口。具体如图1所示，场效应管FET引脚2上串联一电容C1，场效应管FET引脚2与场效应管FET引脚1分别串联电容C2、C3，电容C2、C3之间并联，然后连接插头PLUG的PLUG-AG接口，模拟接地端。

图1中，场效应管FET的引脚1与磁珠D3的M+符号表示麦克风MIC信号的接触点，表示信号的流向；场效应管FET的引脚2与插头PLUG的PLUG-AG接口之间的AG符号表示AG信号的接触点，表示信号的流向。