[实用新型]一种单封装的高强度磁场磁电阻角度传感器

权利要求书

1.一种单封装的高强度磁场磁电阻角度传感器，其特征在于，包括：

至少一个推挽式磁电阻电桥和一衬底，

所述推挽式磁电阻电桥包含2个或者4个磁电阻桥臂，每个所述磁电阻桥臂包含多个磁电阻传感单元，且内连成一个两端口结构，所述磁电阻传感单元为MTJ或者GMR类型，所述磁电阻传感单元沉积在所述衬底上，所有所述磁电阻桥臂通过电连接成电桥；所述磁电阻传感单元包含至少一个钉扎层、一个铁磁参考层、一个非磁性间隔层以及一个铁磁自由层，位于任一所述推挽式磁电阻电桥的至少一个所述磁电阻桥臂的所述磁电阻传感单元的所述铁磁参考层的磁化强度反向于剩余所述磁电阻桥臂的所述铁磁参考层的磁化强度；所述磁电阻传感单元的所述铁磁自由层为低纵横比的椭圆形或者圆形，以使得所述铁磁自由层磁化强度能够沿任意方向外磁场对齐排列；

以及一个或多个软磁通量衰减器，

所述软磁通量衰减器覆盖在所有所述磁电阻传感单元表面，以衰减外磁场，在所述角度传感器中,电子元件之间通过连接焊点或者硅穿孔连接。

2.根据权利要求1所述的一种单封装的高强度磁场磁电阻角度传感器，其特征在于，所述磁电阻角度传感器的所述推挽式磁电阻电桥数量为至少1个；且包含至少2个位于同一平面内的磁电阻传感单元切片，且其中至少1个所述磁电阻传感单元切片相对于剩余所述磁电阻传感单元切片在切片所在平面内翻转180度相位，位于同一所述磁电阻传感单元切片上的所有所述磁电阻传感单元具有相同的铁磁参考层磁化方向，所述磁电阻传感单元切片之间通过引线邦定电连接成推挽式磁电阻电桥。

3.根据权利要求1所述的一种单封装的高强度磁场磁电阻角度传感器，其特征在于，所述磁电阻角度传感器的所述推挽式磁电阻电桥数量为至少2个，至少1个所述推挽式磁电阻电桥的铁磁参考层磁化方向正交于剩余所述推挽式磁电阻电桥的铁磁参考层磁化方向；所述磁电阻角度传感器共包括至少4个位于同一平面内的磁电阻传感单元切片，且其中至少3个所述磁电阻传感单元切片为剩余的所述磁电阻传感单元切片在所述切片所在平面范围内分别翻转90 度、180度和270度而得到；所述位于同一磁电阻传感单元切片上的所有所述磁电阻传感单元具有相同的铁磁参考层磁化方向，所述具有相同或相反铁磁参考层磁化方向的磁电阻传感单元切片通过引线邦定电连接成至少1个所述推挽式磁电阻电桥。

4.根据权利要求1所述的一种单封装的高强度磁场磁电阻角度传感器，其特征在于，所述推挽式磁电阻电桥数量为至少2个，至少1个所述推挽式磁电阻电桥的铁磁参考层磁化方向正交于剩余所述推挽式磁电阻电桥的铁磁参考层磁化方向；且包含至少2个磁电阻传感单元切片，且其中至少1个所述磁电阻传感单元切片相对于剩余所述磁电阻传感单元切片在切片所在平面内翻转180度相位，位于同一所述磁电阻传感单元切片上的所述磁电阻传感单元具有正交的铁磁参考层磁化方向，所述切片之间通过引线邦定电连接成推挽式磁电阻电桥。

5.根据权利要求1所述的一种单封装的高强度磁场磁电阻角度传感器，其特征在于，所述推挽式磁电阻电桥数量为至少1个，且位于同一个磁电阻传感单元切片上，位于同一磁电阻桥臂上的所述磁电阻传感单元具有相同的铁磁参考层磁化方向，且其中至少1个所述磁电阻桥臂的铁磁参考层相对于剩余所述磁电阻桥臂的铁磁参考层具有相反磁化方向，所述磁电阻桥臂之间内连成推挽式磁电阻电桥。

6.根据权利要求1所述的一种单封装的高强度磁场磁电阻角度传感器，其特征在于，所述推挽式磁电阻电桥数量为至少2个，且位于同一个磁电阻传感单元切片上，位于同一磁电阻桥臂上的所述磁电阻传感单元具有相同的铁磁参考层磁化方向，至少1个所述推挽式磁电阻电桥的铁磁参考层磁化方向正交于其余推挽式磁电阻电桥的铁磁参考层磁化方向，且任一所述推挽式磁电阻电桥内，至少1个所述磁电阻桥臂的铁磁参考层相对于剩余所述磁电阻桥臂的铁磁参考层具有相反磁化方向，所述磁电阻桥臂内连成所述推挽式磁电阻电桥。

7.根据权利要求5所述的一种单封装的高强度磁场磁电阻角度传感器，其特征在于，所述推挽式磁电阻电桥的推磁电阻传感单元和挽磁电阻传感单元均 为单堆叠层结构，包括反铁磁层和铁磁参考层，所述推磁电阻传感单元和挽磁电阻传感单元的铁磁参考层磁化方向相反；采用激光加热所述磁电阻传感单元的所述反铁磁层到其阻挡温度以上，而后分别施加相反方向的磁场，冷却到室温，从而形成具有相反铁磁参考层磁化方向的推磁电阻传感单元和挽磁电阻传感单元。