[实用新型]快速切换半导体器件老化和测试状态装置有效
| 申请号： | 201520231750.X | 申请日： | 2015-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN204855728U | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 吕贤亮;高立 | 申请（专利权）人： | 工业和信息化部电子第四研究院 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 快速 切换 半导体器件 老化 测试 状态 装置 | ||
1.快速切换半导体器件老化和测试状态装置，其特征在于：该装置包括机箱(1)、测量端子组a(2)、老化供电端子组a(3)、切换触发口(4)、装置供电输入耦合器(5)、装置开关按键(6)以及内部控制电路；所述内部控制电路设置在机箱(1)内的衬板上，内部控制电路包括输入耦合器接线端子(7)、50V直流电源(8)、15V直流电源(9)、开关测试电路PCB板(10)；开关测试电路PCB板包括开关模块(11)、测试模块(12)；
开关模块(11)包括MOS组(13)、老化供电端子组b(14)、测量端子组b(15)、50V供电端子(16)；测试模块(12)包括±15V供电端子(17)、测试电流输出端子(18)、电源滤波电容组(19)、OP07运放组(20)；
机箱(1)的前面板上为测量端子组(2)、老化供电端子组(3)两个区；
测量端子组a(2)包括测量端子C(2.1)、测量端子B(2.2)、测量端子E(2.3)，其分别对应连接老化电路中半导体晶体管集电极、基极、发射极，测量端子组(2)在机箱(1)内部与PCB板上的三个测量端子组b(15)相连；
老化供电端子组a(3)包括老化供电端子U(3.1)、老化供电端子I(3.2)，分别对应连接老化电路中半导体晶体管的基极和集电极，老化供电端子a(3)在机箱(1)内部与开关测试电路PCB板(12)上两个老化供电端子组b(14)相连；
机箱(1)的前面板上还设有切换触发口(4)；
机箱(1)的后面板设有一个电源输入耦合器(5)，一个装置开关按键(6)；
电源输入耦合器(5)内置电源滤波，在机箱(1)内部通过输入耦合器接线端子(7)与50V直流电源(8)、15V直流电源(9)连接，用以开关测试电路PCB板(10)上不同模块的供电。
2.根据权利要求1所述的快速切换半导体器件老化和测试状态装置，其特征在于：15V直流电源(9)与±15V供电端子(17)相连，在经过源滤波电容组(19)滤波，输出稳定的电压；为OP07运放组(20)提供工作电压；OP07运放组(20)所在的电路模块向测试电流输出端子(18)输出稳定的测试电流。
3.根据权利要求1所述的快速切换半导体器件老化和测试状态装置，其特征在于：所述装置开关按键(6)控制装置电路的开断；外部设电源2400提供3.3V电压信号通过切换触发口(4)连接到开关模块(11)的switch输入端，控制MOS组(13)的沟道关断。
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