[实用新型]一种相控电路有效
申请号: | 201520232728.7 | 申请日: | 2015-04-12 |
公开(公告)号: | CN204481673U | 公开(公告)日: | 2015-07-15 |
发明(设计)人: | 陈照明 | 申请(专利权)人: | 陈照明 |
主分类号: | H02M1/06 | 分类号: | H02M1/06 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 362302 福建省*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种控制电路,具体是一种相控电路。
背景技术
相控电路是将控制信号转变为在触发滞后角触发可控整流器、交流调压器、直接降频变频器或有源逆变器中晶闸管的门极驱动脉冲的电路,现有的相控电路大多结构复杂,而且滞后延时严重,难以满足现在的工业需求。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种电路结构简单、滞后程度低的相控电路,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种相控电路,包括电阻R1、电容C1、电感L1和三极管Q1,所述电阻R1一端连接220V交流电一端,电阻R1另一端分别连接电容C1、电阻R2、二极管D2正极、电阻R5、电阻R6和电阻R8,电容C1另一端分别连接电感L、电容C2、二极管D4正极、电阻R7、双向可控硅VT1的T1极和电容C3,电感L另一端连接220V交流电另一端,所述电容C2另一端分别连接电阻R2另一端、电阻R3、三极管Q1发射极、二极管D1正极和三极管Q4发射极,电阻R3另一端分别连接三极管Q1基极和三极管Q2集电极,三极管Q2基极分别连接三极管Q1集电极、二极管D1负极、二极管D3负极、三极管Q4基极和三极管Q3集电极,三极管Q2发射极分别连接二极管D3正极、三极管Q3发射极、电阻R4、电阻R7另一端和双向可控硅VT1的G极,双向可控硅VT1的T2极连接电阻R6另一端,所述二极管D4负极分别连接二极管D2负极和电阻R5另一端,所述电阻R8另一端连接电容C3另一端,所述三极管Q4集电极分别连接电阻R4另一端和三极管Q3基极。
作为本实用新型进一步的方案:所述二极管D1为稳压二极管。
作为本实用新型进一步的方案:所述双向可控硅VT1型号为PT137。
作为本实用新型再进一步的方案:所述电阻R1为负载。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型通过使用电阻R4、电阻R4、三极管Q1~Q4和二极管D1~D4组成一个硅集成双向开关电路,其转折电压Vs=7V,由二极管D1和二极管D3的击穿电压决定,采用此电路结构,可以极大的减小电路的滞后角,且电路结构简单,非常适合工业上推广使用。
附图说明
图1为一种相控电路的电路图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1,本实用新型实施例中,一种相控电路,包括电阻R1、电容C1、电感L1和三极管Q1,电阻R1一端连接220V交流电一端,电阻R1另一端分别连接电容C1、电阻R2、二极管D2正极、电阻R5、电阻R6和电阻R8,电容C1另一端分别连接电感L、电容C2、二极管D4正极、电阻R7、双向可控硅VT1的T1极和电容C3,电感L另一端连接220V交流电另一端,电容C2另一端分别连接电阻R2另一端、电阻R3、三极管Q1发射极、二极管D1正极和三极管Q4发射极,电阻R3另一端分别连接三极管Q1基极和三极管Q2集电极,三极管Q2基极分别连接三极管Q1集电极、二极管D1负极、二极管D3负极、三极管Q4基极和三极管Q3集电极,三极管Q2发射极分别连接二极管D3正极、三极管Q3发射极、电阻R4、电阻R7另一端和双向可控硅VT1的G极,双向可控硅VT1的T2极连接电阻R6另一端,二极管D4负极分别连接二极管D2负极和电阻R5另一端,电阻R8另一端连接电容C3另一端,三极管Q4集电极分别连接电阻R4另一端和三极管Q3基极。
二极管D1为稳压二极管。
双向可控硅VT1型号为PT137。
电阻R1为负载。
本实用新型的工作原理是:电阻R4、电阻R4、三极管Q1~Q4和二极管D1~D4组成一个硅集成双向开关电路,其转折电压Vs=7V,由二极管D1和二极管D3的击穿电压决定,采用此电路结构,可以极大的减小电路的滞后角,而且电路结构简单,只要改变电阻R2的阻值即可以使负载R1上的电压从3V线性变化到200V,电路最大功率<1kW。
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