[实用新型]一种三基色白光LED光源

说明书

技术领域

本实用新型涉及LED发光技术领域，尤其涉及一种三基色的白光LED光源。

背景技术

利用红、绿、蓝三种颜色混合得到白光的方案是实现白光LED的三种方案之一，该方法可以分开控制红、绿、蓝光LED的发光强度，达成全彩的变色效果(可变色温)。

但是该技术一直受限于绿光LED技术的瓶颈，目前实现绿光LED采用InGaN体系材料，但是由于高In组分的GaN材料的晶格畸变，使得材料缺陷远高于普通蓝光LED的InGaN材料。这就造成绿光LED芯片光电转换效率低，热量高同时光衰明显。同时绿光LED芯片随温度变化其峰值波长漂移明显，这将造成三基色白光LED的色温漂移，从而需要复杂的控制电路对芯片的电流进行补偿控制实现色温稳定。目前OSRAM在三基色白光LED中引入一颗涂覆荧光粉的白光芯片，以实现三基色白光LED的色温稳定，但这样既增加了封装的工艺难度，同时也增加了白光LED光源的成本。

实用新型内容

本实用新型旨在解决现有技术的前述问题，而提供一种光效高，色温稳定且控制简单的一种新型三基色白光LED光源。

一种三基色白光LED光源，其包括基板，所述基板上电连接有若干红光LED芯片和蓝光LED芯片，在所述蓝光LED芯片的表面覆盖有绿光发光材料层，所述红光LED芯片和蓝光LED芯片上封装有密封胶层。

作为优选方案，所述红光LED芯片和蓝光LED芯片均通过金线与基板电连接。

作为优选方案，所述绿光发光材料层由LuAG陶瓷材料、绿光玻璃材料或绿色荧光粉构成。

作为优选方案，所述基板的的尺寸为(5～10)mm×(5～10)mm。

作为优选方案，所述基板呈多孔结构。

与现有技术相比，本实用新型具有如下的有益效果：

该三基色白光LED光源，避免了传统光源中绿光LED芯片的使用，使得光源的色温稳定性得到增强，同时也保证了高的光效与宽色域的色温可调性。

附图说明

通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1为本实用新型中实施例1的结构示意图；

图2为本实用新型中实施例2的结构示意图。

图中：1、基板；21、蓝光芯片；22、红光芯片；3、陶瓷材料层；4、硅胶层。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本实用新型进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本实用新型，但不以任何形式限制本实用新型。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进。这些都属于本实用新型的保护范围。

实施例1

本实施例的一种三基色白光LED光源的结构如图1所示：在5╳5mm的陶瓷基板1上固定有三颗LED芯片，分别为两颗峰值波长为455nm的蓝光芯片21与一颗峰值波长为620nm的红光芯片22，蓝光芯片21和红光芯片22的尺寸都为1╳1mm。应用金线实现芯片正负电极与基板1间的电连接，在一颗蓝光芯片的表面覆盖发射光谱的峰值波长为530nm的LuAG陶瓷材料层3，最后应用透明硅胶将三颗芯片密封起来，形成透明硅胶层4，完成该三基色LED白光光源的制备。

实施例2

本实施例的一种三基色白光LED光源的结构如图2所示：在10╳10mm的陶瓷基板1上分别固定5颗红光LED芯片22与10颗蓝光LED芯片21，构成一个3并5串的LED芯片阵列，其中红光LED芯片22的峰值波长为620nm，蓝光LED芯片21的峰值波长为455nm，芯片的尺寸都为1╳1mm。应用金线实现芯片正负电极与基板电极5之间的电连接，在其中5颗蓝光芯片21的表面覆盖发射光谱的峰值波长为530nm的LuAG陶瓷2，最后应用透明硅胶将全部芯片密封起来，完成该三基色LED白光模组的制备。

实施例3

在5╳5mm的陶瓷基板上固定三颗LED芯片，分别为两颗峰值波长为455nm的蓝光芯片与一颗峰值波长为620nm的红光芯片，芯片的尺寸都为1╳1mm。应用金线实现芯片正负电极与基板间的电连接，在一颗蓝光芯片的表面覆盖发射光谱的峰值波长为530nm的绿光玻璃材料，最后应用透明硅胶将三颗芯片密封起来，完成该三基色LED白光光源的制备。其结构与实施例1相同，故不赘述。

实施例4