[实用新型]防压降稳压电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种防压降稳压电路，具体是一种防压降稳压电路。

背景技术

电流源为集成电路中的基本单元，广泛应用于各种模拟及集成数字电路中。电流源的结构种类繁多，但在大多数的集成电路中都是采用的电压除以电阻再镜像的方式产生集成电路所需要的电流。通过这种方式产生的电流源的电压、电流不稳定。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种不会产生压降，电压稳定，功率消耗小，具有较高的电压转换效率，使用无安全隐患的防压降稳压电路，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种防压降稳压电路，包括晶体管组电路、整流器D1、电位器W和VOUT端口；所述晶体管组电路包括晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3和晶体管M4，其中，晶体管Ml的漏极连接到VIN正端口，晶体管Ml的源极连接到晶体管M2的漏极与整流器D1的接线端4；所述晶体管M2的源极连接到VIN负端口，晶体管M3的源极连接到VIN正端口，晶体管M3的漏极连接到晶体管M4的源极、整流器D1的接线端2；所述晶体管M4的漏极连接到VIN负端口，晶体管M3的栅极连接到晶体管Ml的栅极，晶体管M4的栅极连接到晶体管M2的栅极，晶体管Ml,晶体管M3的栅极连接至VIN负端口，晶体管M2,晶体管M4的栅极连接至VIN正端口；所述整流器D1的接线端口2、接线端口4分别连接VIN正端口、VIN负端口；所述整流器D1的接线端口1、接线端口3分别连接限位器W的负极固定端、正极固定端，接线端口1、接线端口3为整流器D1的输出端口；所述电位器W的滑动端与比较器U的同相输入端连接，比较器U的反向相输入端连接电压源VREF的正端口，电压源VREF的负端口同时连接整流器D1的接线端口3、电容C0的一端；所述比较器U的输出端驱动连接开关管MOS的G极，开关管MOS为PMOS型号；所述开关管MOS的S极串接电位器W的正极，电位器W的正极固定端作为电压可调整流电路的正极输出端，电位器W的负极固定端作为电压可调整流电路的负极输出端；所述开关管MOS的D极同时连接电容C0的另一端；所述电容C0并联电阻Rr，电阻Rr的两端连接VOUT端口。

进一步的：所述VIN正端口、VIN负端口为工频交流输入的正弦交流电。

进一步的：所述电容C0为滤波电容。

进一步的：所述电阻Rr为泄放电阻。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

1、本实用新型采用晶体管组电路，当输入电压VIN的极性正确时(亦即晶体管组电路连接到电源上时没有反接，VIN正端口为高电压、VIN负端口为低电压)，晶体管M2与晶体管M3会导通，而晶体管Ml及晶体管M4则不会导通，电压会与VIN正端口相同，而电阻R6左端口的电压则会与VIN负端口相同，亦即晶体管组输出电压很接近输入电压VIN，而不会产生压降问题，当输入电压VIN的极性不正确(相反)时(亦即晶体管组电路连接到电源上时极性接反了，VIN正端口为低电压、VIN负端口为高电压)，晶体管Ml与晶体管M4会导通，而晶体管M2及晶体管M3则不会导通，电压会与VIN负端口相同，而电压则会与VIN正端口相同，亦即晶体管组输出电压的极性仍然是正确的，且其电压会很接近输入电压VIN，也不会产生压降问题；