[实用新型]一种具有高光耦合效率的光纤适配器

说明书

技术领域

本实用新型涉及光通信领域，尤其涉及一种具有高光耦合效率的光纤适配器。

背景技术

在光信号长距离传输或是链路损耗很大的情况下，为了达到链路预算，通常需要发射器件具有大的光发射功率，例如在无源光网络PON中，功率不满足要求成为了光器件成品率低下的一个最主要因素。提高发射器件光功率的方法一是增大光发射芯片本身的出光功率，但这受限于芯片本身，另一种则是提高芯片与耦合光纤之间的耦合效率。在耦合效率方面，为了保证耦合端面的反射不对激光器本身发光造成影响，耦合陶瓷插芯端面一般为斜8度，理论分析表明，对于理想同轴情况，即发射芯片、耦合透镜和光纤三者完全同轴，平端面耦合具有最高耦合效率，相比起来，斜8度耦合会造成约40％的耦合效率下降，而对于非理想同轴，耦合效率与陶瓷插芯端面角度之间的关系有所不同，而实际的封装工艺不可能保证发射芯片和耦合透镜完全同轴。

因此有必要设计一种光纤适配器，以改进上述耦合效率低的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术之缺陷，提供了一种具有高光耦合效率的光纤适配器。

本实用新型是这样实现的：所述适配器的插芯耦合端面采用3-4度斜面结构，所述插芯耦合端面上镀有增透膜；所述增透膜用于减弱在所述插芯耦合端面产生的发射光。

优选的，所述适配器的插芯耦合端面具体采用3.5度斜面结构。

优选的，所述适配器的插芯耦合端面采用打磨方式制成。

优选的，所述增透膜的厚度由所述光纤适配器传输的光的波长和增透膜材料自身的折射率所确定。

优选的，所述增透膜具体包括：氟化镁增透膜、氧化钛增透膜、硫化铅增透膜、硒化铅增透膜、陶瓷红外光红外增透膜、乙烯基倍半硅氧烷杂化膜中的任一一种。

优选的，所述光纤适配器的连接头结构具体包括：SC型结构、ST型结构、FC型结构和MU型结构中的任一一种。

本实用新型具有以下有益效果：本实用新型通过减小端面斜面角度提高了光纤适配器中插芯耦合端面的耦合度，并且利用增透膜克服了由于端面斜面角度调整到3-4度后带来的光反射的影响。因此，在保证光信号质量情况下，通过适配器结构调整实现了光耦合效率的提升。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1为本实用新型实施例提供的一种具有高光耦合效率的光纤适配器结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。

本实用新型实施例提供一种具有高光耦合效率的光纤适配器，如图1所示，所述适配器的插芯2的耦合端面3采用3-4度斜面结构，所述插芯耦合端面3上镀有增透膜；所述增透膜用于减弱所述插芯耦合端面产生的反射光。

本实用新型通过减小端面斜面角度提高了光纤适配器中插芯耦合端面的耦合度，并且利用增透膜克服了由于端面斜面角度调整到3度至4度之间后带来的光反射的影响。因此，在光保证信号质量情况下，通过适配器结构调整实现了光耦合效率的提升。

在具体实现中，相比较适配器焊接金属面1，适配器的陶瓷插芯2会安装的与其成垂直状态。

按照目前发射芯片和耦合透镜间同轴度的工艺控制水平，理论与实验表明，光纤在3.5度附近时具有最高耦合效率。因此，本实用新型存在一种优选的方案，其中，所述适配器的插芯耦合端面具体采用3.5度斜面结构。

优选的，所述适配器的插芯耦合端面采用打磨方式制成。其它可能的用于光纤端面制作方式，也属于本实用新型的保护范围。

优选的，所述增透膜的厚度由所述光纤适配器传输的光的波长和增透膜材料自身的折射率所确定。具体的，增透膜的厚度d计算公式为：增透膜的厚度d＝λ/4n，其中n为膜的折射率,λ为光在空气中的波长。

优选的，所述增透膜具体包括：氟化镁增透膜、氧化钛增透膜、硫化铅增透膜、硒化铅增透膜、陶瓷红外光红外增透膜、乙烯基倍半硅氧烷杂化膜中的任一一种。最优的方案是采用氟化镁作为增透膜材料。