[实用新型]一种基于线性CCD的信号采集和自动曝光电路有效

专利信息
申请号: 201520238819.1 申请日: 2015-04-20
公开(公告)号: CN204559735U 公开(公告)日: 2015-08-12
发明(设计)人: 顾林峰;李克祥;卢雪萍 申请(专利权)人: 绍兴文理学院
主分类号: H04N5/372 分类号: H04N5/372;H04N5/353
代理公司: 绍兴市越兴专利事务所 33220 代理人: 张媛
地址: 312000 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 线性 ccd 信号 采集 自动 曝光 电路
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种基于线性CCD的信号采集和自动曝光电路,属于光电技术领域。

背景技术

TSL1401CL为一款线性CCD,其核心是128个光电二极管组成的感光阵列,阵列后面有一排积分电容,光电二极管在光能量冲击下产生光电流,构成有源积分电路,那么积分电容就是用来存储光能转化后的电荷。积分电容存储的电荷越多,说明前方对应的那个感光二极管采集的光强越大。反映在像素点上就是,像素灰度低。光强接近饱和,像素点灰度趋近于全白,则呈白电平,输出电压值越大。前18个时钟周期是像素复位时间,不进行积分与曝光,第19个CLK到下一个SI为曝光时间,因此在线性 CCD的操作过程中,SI信号相当于一个标志,当它变为高电平后,就可以在每个CLK信号高电平到来后进行数据的采样,采样数据的曝光时间是由前一次第19个CLK到本次SI 高电平出现的时间确定的。光线越强,积分电容存储的电荷速度越快,进行曝光的周期就该越短,光线越弱,积分电容存储的电荷速度越慢,进行曝光的周期就该越长。

目前的线性CCD曝光时间调整及数据采集方法,主要有以下两种:

1、微处理器通过A/D转换直接采集CCD输出的模拟电压数据,转换为数字信息,微处理器通过数据分析,调整两次SI之间的时间间隔,该方法主要采用微处理器软件来分析数据,CPU程序复杂,数据采集速度较慢,环境适应能力差;

2、采用硬件电路二值化黑白像素点电压,但CCD的128个像素点阈值参考电压是相同的,导致CCD两边对应像素点出现误判。

有鉴于此,本发明人对此进行研究,专门开发出一种基于线性CCD的信号采集和自动曝光电路,本案由此产生。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种基于线性CCD的信号采集和自动曝光电路,不需要A/D转换,可以在一定光强范围内都能自动调整CCD的曝光时间,适应性强。

为了实现上述目的,本实用新型的解决方案是:

一种基于线性CCD的信号采集和自动曝光电路,包括微处理器,通过微处理器SPI接口、I/O接口与微处理器相连的CCD信号采集与变换单元,线性CCD通过其接口分别与微处理器SPI接口和CCD信号采集与变换单元相连,其中,所述CCD信号采集与变换单元包括比较触发模块,以及与比较触发模块相连的CCD输出电压放大模块和动态阈值产生模块。

作为优选,所述CCD输出电压放大模块包括放大器,与放大器相连的滑动变阻器,所述放大器的同向输入端通过一电阻与线性CCD的电压输出端相连,放大器的输出端与比较触发模块的第一比较器、第二比较器相连,通过改变第一滑动变阻器的阻值大小调节放大器的放大倍数。

作为优选,所述动态阈值产生模块包括计数器,通过与门与计数器相连的P型MOS管、N型MOS管,以及与P型MOS管、N型MOS管相连的跟随器,其中,P型MOS管与第三滑动变阻器相连,N型MOS管与第四滑动变阻器相连,跟随器的输出端先串联一个电阻,再并联一个充电电容后与第一比较器输入端相连。

作为优选,所述比较触发模块包括并联在放大器输出端的第一比较器、第二比较器,以及与第二比较器输出端相连的触发器,所述第二比较器的同向输入端与第二滑动变阻器相连,第一比较器和触发器的输出端与微处理器的SPI接口相连。

作为优选,所述触发器采用型号为74HC74的触发器。

上述基于线性CCD的信号采集和自动曝光电路工作原理:

1)  首先将微处理器的SPI接口工作在主模式下,设置工作频率CLK为400KHZ,同时将CLK作为线性CCD的工作时钟,设置微处理器的定时器,使定时时间(即曝光时间)初始值设为5毫秒,作为线性CCD曝光的初始值,每5毫秒产生定时中断,使能SPI通过MOSI口连续输出16个字节数据(1个0x80,其余15个0x00,SI高电平启动线性CCD),形成线性CCD需要的SI信号,同时将微处理器发出的MOSI信号和CLK信号分别作为线性CCD的启动信号SI,CLK,启动线性CCD工作;

2)线性CCD在CLK和SI的条件下,将输出电压通过一电阻输送到放大器,通过第一滑动变阻器调整放大器的倍数,并通过示波器观察放大器的输出电压值,使中间像素点白点电平值接近4V,同时记录中间和两边像素白点和黑点电压平均值;

3)调整第三滑动变阻器和第四滑动变阻器的阻值,即调整两个滑动变阻器的输出电压,进而通过组合场效应管控制P型MOS管、N型MOS管的导通和/或截止,充电电容充放电输出动态的阈值参考电压VREF;

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