[实用新型]一种防止炸机电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及LED灯测试技术领域，具体涉及一种防止开关电源在灌胶后，带上灯具进行高压测试时炸机的电路。

背景技术

目前市场上的LED路灯电源大多带PFC,都需要灌胶(环氧树脂或者聚氨酯灌封胶)，用以做IP66防水。路灯是容性负载，引入了寄生电容，灌胶后也促使寄生电容进一步增加。由于寄生电容的增加，当对其进行高压绝缘测试时,噪声会通过寄生电容耦合到的线路中去，影响了测试的关键参数，导致超出了PFC-MOSFET能够承受的电压应力，发生PFC部分炸机。因此，开关电源在灌胶后带上灯具进行高压测试时，防止发生炸机现象是函待解决的技术问题。

发明内容

本实用新型提出了一种防止炸机电路，其电路结构简单、制造成本低廉，具体技术方案如下：该电路包括桥式整流电路DB1，DB1的负向输出端接地；DB1的正向输出端与变压器T1的一端及二极管D1的正向输入端公共连接，变压器T1的另一端与二极管D2的正向输入端、场效应管晶体管Q1的漏极、电容C2的一端公共连接；电容C2的另一端、场效应管晶体管Q1的源极接地；二极管D1的反向输入端、二极管D2的反向输入端、电容C3的一端、电容C4的一端公共连接；电容C3的另一端、电容C4的另一端接地GND；场效应管晶体管Q1的栅极、电阻R2的一端、电阻R1的一端，电容C1的一端、二极管D3的正向输入端公共连接；电阻R2的另一端、电容C1的另一端接地；PFC电路的输出端DRV、电阻R1的另一端、二极管D3的反向输入端公共连接；PFC电路的GND端接地。

本实用新型的进一步的实施例中，所述电容C3为极性电容，所述电容C3的正极与二极管D2的反向输入端、二极管D1的反向输入端、电容C4的一端公共连接，电容C3另一极接地。

本实用新型的进一步的实施例中，场效应管晶体管Q1漏极与一稳压二极管的反向输入端连接，稳压二极管的正向输入端与场效应管晶体管Q1的源极连接。

本实用新型的进一步的实施例中，场效应管晶体管Q1为PFC功率开关MOSFET。

本实用新型的进一步的实施例中，电容C1的电容值与场效应管晶体管Q1的S极与机壳形成的寄生电容Cm的电容值相匹配。

有益效果

本专利使PFC-MOSFET门极电压不超过电压应力设定值，以保护PFC-MOSFET，从而避免了PFC-MOSFET击穿短路而发生炸机现象。与现有技术相比，本发明的优点能有效保护PFC-MOSFET，在加高压时，规避寄生电容门极累积电荷超出PFC-MOSFET门极电压应力。实现成本非常低廉，实施方法简单有效。

附图说明

图1为防止炸机电路。

具体实施方式

如图1所示为一种防止炸机电路，其电路结构简单、制造成本低廉，具体技术方案如下：该电路包括桥式整流电路DB1，DB1的负向输出端接地；DB1的正向输出端与变压器T1的一端及二极管D1的正向输入端公共连接，变压器T1的另一端与二极管D2的正向输入端、场效应管晶体管Q1的漏极、电容C2的一端公共连接；电容C2的另一端、场效应管晶体管Q1的源极接地；二极管D1的反向输入端、二极管D2的反向输入端、电容C3的一端、电容C4的一端公共连接；电容C3的另一端、电容C4的另一端接地GND；场效应管晶体管Q1的栅极、电阻R2的一端、电阻R1的一端，电容C1的一端、二极管D3的正向输入端公共连接；电阻R2的另一端、电容C1的另一端接地；PFC电路的输出端DRV、电阻R1的另一端、二极管D3的反向输入端公共连接；PFC电路的GND端接地。场效应管晶体管Q1为PFC功率开关MOSFET。

由于LED路灯电源都需要灌胶，从而介入了寄生电容，当加高压时，就会通过寄生电容耦合到的线路中去，导致超出了PFC-MOSFET能够承受的电压应力，使得PFC-MOSFET击穿短路。在寄生电容上串联一个电容，利用电容分压原理，来降低高压绝缘测试时PFC-MOSFET门极电压，从而保护了PFC-MOSFET。