[实用新型]一种自动化电气开关有效
申请号: | 201520242889.4 | 申请日: | 2015-04-21 |
公开(公告)号: | CN204559532U | 公开(公告)日: | 2015-08-12 |
发明(设计)人: | 张得龙 | 申请(专利权)人: | 张得龙 |
主分类号: | H03K17/28 | 分类号: | H03K17/28 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 262700 山东省潍*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 自动化 电气 开关 | ||
技术领域
本实用新型涉及电子自动化设备领域,尤其涉及一种自动化开关。
背景技术
电机被广泛应用于机电领域,电机设备手动操作比较耗费人力,而有的工艺需要精准的电机进程,而人为手动操作会很容易造成电机进程误差,这就导致了产品的合格率下降。现有的电机虽然也有智能控制的,然而其控制电路复杂,成本高。而且现在大部分电机的控制开关采用单片机控制,这种控制功耗高,控制精度不高。
实用新型内容
为了解决上述问题,本实用新型提出一种自动化电气开关,它能够实现电机的自动控制,电路结构简单,容易操作。
为了达到上述目的,本实用新型采用的技术方案为:
一种自动化电气开关,包括定时器,所述定时器连接二进制编码器,电源电压连接三极管Q2的发射极,所述三极管Q2的发射极与基极之间连接电阻R2,所述三极管Q2的基极通过电阻R1连接三极管Q1的集电极,所述三极管Q1的基极通过电阻R6连接二进制编码器的输出端引脚1,所述三极管Q1的发射极接地,所述三极管Q2的集电极通过电阻R3接地,所述三极管Q2的集电极连接MOS管Q7的栅极,所述MOS管Q7的漏极通过电阻R13接地,所述MOS管Q7的漏极连接MOS管Q9的漏极,所述MOS管Q7的源极连接MOS管Q8的源极,所述MOS管Q8的栅极通过电阻R4连接电源电压,所述MOS管Q8的栅极连接三极管Q3的集电极,所述三极管Q3的基极通过电阻R5连接二进制编码器的输出端引脚2,所述三极管Q3的发射极接地,所述MOS管Q8的漏极连接电源电压,所述MOS管Q9的源极连接MOS管Q10的源极,所述MOS管Q10的栅极通过电阻R10连接电源电压,所述MOS管Q10的栅极连接三极管Q6的集电极,所述三极管Q6的基极通过电阻R11连接二进制编码器的输出端引脚1,所述三极管Q6的发射极接地,所述MOS管Q10的漏极连接MOS管Q8的漏极,所述MOS管Q2的源极与MOS管Q3的源极之间连接有电机,电源电压连接三极管Q5的发射极,所述三极管Q5的发射极与基极之间连接电阻R8,所述三极管Q5的基极通过电阻R7连接三极 管Q4的集电极,所述三极管Q4的基极通过电阻R12连接二进制编码器的输出端引脚2,所述三极管Q4的发射极接地,所述三极管Q5的集电极通过电阻R9接地,所述三极管Q5的集电极连接MOS管Q9的栅极。
所述定时器为555定时器。
所述二进制编码器为2-4二进制编码器。
本实用新型的有益效果为免除了单片机能够精确的控制电机的行程,将电机的运行行程控制在误差允许的范围内。同时降低了整个自动化电气开关的功耗,提高了效率。
附图说明
图1编码器连接结构图;
图2本实用新型具体电路连接结构图。
具体实施方式
为了更好的了解本实用新型的技术方案,下面结合附图对本实用新型作进一步说明。
如图1-图2所示,一种自动化电气开关,包括定时器,所述定时器连接二进制编码器,电源电压连接三极管Q2的发射极,三极管Q2的发射极与基极之间连接电阻R2,三极管Q2的基极通过电阻R1连接三极管Q1的集电极,三极管Q1的基极通过电阻R6连接二进制编码器的输出端引脚1,三极管Q1的发射极接地,三极管Q2的集电极通过电阻R3接地,三极管Q2的集电极连接MOS管Q7的栅极,MOS管Q7的漏极通过电阻R13接地,MOS管Q7的漏极连接MOS管Q9的漏极,MOS管Q7的源极连接MOS管Q8的源极,MOS管Q8的栅极通过电阻R4连接电源电压,MOS管Q8的栅极连接三极管Q3的集电极,三极管Q3的基极通过电阻R5连接二进制编码器的输出端引脚2,三极管Q3的发射极接地,MOS管Q8的漏极连接电源电压,MOS管Q9的源极连接MOS管Q10的源极,MOS管Q10的栅极通过电阻R10连接电源电压,MOS管Q10的栅极连接三极管Q6的集电极,三极管Q6的基极 通过电阻R11连接二进制编码器的输出端引脚1,三极管Q6的发射极接地,MOS管Q10的漏极连接MOS管Q8的漏极,MOS管Q2的源极与MOS管Q3的源极之间连接有电机,电源电压连接三极管Q5的发射极,三极管Q5的发射极与基极之间连接电阻R8,三极管Q5的基极通过电阻R7连接三极管Q4的集电极,三极管Q4的基极通过电阻R12连接二进制编码器的输出端引脚2,三极管Q4的发射极接地,三极管Q5的集电极通过电阻R9接地,三极管Q5的集电极连接MOS管Q9的栅极。
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