[实用新型]一种功率模块

说明书

技术领域

本实用新型涉及无功功率补偿设备技术领域，具体涉及一种功率模块。

背景技术

SVG(Static Var Generator，静止无功发生器，又称为高压无功补偿器)因具有无极补偿、补偿后的功率因数高、补偿时间短、使用寿命长和结构简单等优势，已成为无功功率补偿技术领域的主要发展方向。SVG一般由功率柜、启动柜和控制柜组成。其中，功率柜可分为三相，每相功率柜的柜体能够放置多个功率模块，其中，功率模块是每相功率柜中最重要的部分，一般情况下，多个功率模块在每相功率柜的柜体内部呈横向或纵向排列放置。

传统的功率模块内通常只有一组控制装置、电能传输装置和IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)，各个功率模块之间串联连接。

传统的单个功率模块功率密度较低，容量较小，导致整机容量受限，在大容量的应用场景中，串联连接的功率模块的数量较多，一方面，增加了功率柜的尺寸、体积以及整机尺寸，另一方面，较多数量的功率模块也会增加功率模块与功率柜之间安装和维护的工作量。

因此，亟需一种功率模块，以解决上述技术问题。

实用新型内容

本实用新型针对现有技术中存在的上述不足，提供一种功率模块，用以解决现有的单个功率模块容量小带来的整机尺寸与整机容量无法兼顾的问题，以及功率模块安装和维护繁琐、工作量大的问题。

本实用新型为解决上述技术问题，采用如下技术方案：

本实用新型提供一种功率模块，包括：第一基础功率单元、第二基础功率单元、控制装置和电能传输装置，每个基础功率单元分别包括：电容、散热器和两个IGBT，每个基础功率单元中的两个IGBT串联连接；第一基础功率单元内的两个IGBT与第二基础功率单元内的两个IGBT串联连接或并联连接；

控制装置能够控制所述IGBT开启或关闭，电能传输装置能够将所述IGBT的电能传输给基础功率单元内的电容。

进一步的，所述功率模块还包括能够与功率柜的对插接口电连接的第一对插铜排和第二对插铜排；

第一对插铜排设置于第一基础功率单元上，并与第一基础功率单元内的IGBT的一端相连接，第二对插铜排设置于第二基础功率单元上，并与第二基础功率单元内的IGBT的一端相连接。

优选的，第一对插铜排与第一基础功率单元内的IGBT和电容呈直线分布，第二对插铜排与第二基础功率单元内的IGBT和电容呈直线分布。

优选的，当第一基础功率单元内的两个IGBT与第二基础功率单元内的两个IGBT串联连接时，所述功率模块还包括串联铜排，串联铜排的两端分别与第一基础功率单元内的一个IGBT和第二基础功率单元内的一个IGBT相连。

优选的，所述第一对插铜排与第一基础功率单元内未连接所述串联铜排的IGBT的一端相连接，所述第二对插铜排与第二基础功率单元内未连接所述串联铜排的IGBT的一端相连接。

优选的，所述电能传输装置包括两个串联叠层母排，每个串联叠层母排呈L状，分别固设于每个基础功率单元内的电容的顶端，并与本基础功率单元内的IGBT连接，能够将本基础功率单元内IGBT的电能传输给本基础功率单元内的电容。

进一步的，所述控制装置包括至少两个控制单板，每个基础功率单元内包括至少一个控制单板，每个基础功率单元内的控制单板能够控制本基础功率单元内的IGBT开启或关闭。

进一步的，每个基础功率单元还包括电源和PCB托盘，本基础功率单元内的电源和控制单板设置于本基础功率单元内的PCB托盘上；

第一基础功率单元内的电源与第二基础功率单元内的电源连接，当所述功率模块内的其中一个电源故障时，另一个基础功率单元内的电源能够为本功率模块内的控制单板供电。

优选的，当第一基础功率单元内的两个IGBT与第二基础功率单元内的两个IGBT并联连接时，所述电能传输装置为一个并联叠层母排，并联叠层母排呈L状，固设于第一基础功率单元内的电容和第二基础功率单元内的电容的顶端，并与第一基础功率单元内的IGBT和第二基础功率单元内的IGBT连接，能够将第一基础功率单元和第二基础功率单元内IGBT的电能传输给第一基础功率单元和第二基础功率单元内的电容。

优选的，所述第一对插铜排与第一基础功率单元内的两个IGBT的一端相连接，所述第二对插铜排与第二基础单元内的两个IGBT的一端相连接。