[实用新型]半导体衬底结构、半导体封装

权利要求书

1.一种半导体衬底结构，其包括：

导电结构，其具有第一导电表面和与所述第一导电表面相对的第二导电表面；以及

电介质结构，其遮盖所述导电结构的至少一部分，并具有第一电介质表面和与所述第一电介质表面相对的第二电介质表面，其中所述第一导电表面并非从所述第一电介质表面突出，所述第二导电表面从所述第二电介质表面凹进，其中所述电介质结构包含固化光敏树脂或由其形成，且所述电介质结构界定在所述第二电介质表面中的电介质开口以暴露所述第二导电表面的一部分。

2.根据权利要求1所述的半导体衬底结构，其中界定所述电介质开口的侧壁为曲状的。

3.根据权利要求1所述的半导体衬底结构，其中所述电介质开口具有在所述第二电介质表面处的第一宽度和在所述电介质开口的中间部分处的第二宽度，且所述第一宽度大于所述第二宽度。

4.根据权利要求1所述的半导体衬底结构，其中所述第一导电表面从所述第一电介质表面凹进。

5.根据权利要求1所述的半导体衬底结构，其中所述半导体衬底结构的厚度介于约20μm到约60μm的范围内。

6.根据权利要求1所述的半导体衬底结构，其中所述导电结构包含球衬垫和安置在所述球衬垫的第一表面上的金属凸块，且其中所述电介质开口暴露所述球衬垫的第二表面的一部分。

7.根据权利要求1所述的半导体衬底结构，其中所述导电结构进一步包含接合垫和安置在所述接合垫的表面上的导电柱。

8.根据权利要求7所述的半导体衬底结构，其中所述导电结构进一步包含晶种层和表面处理层，所述晶种层的一部分安置于所述导电柱与所述接合垫之间，所述晶种层部分的宽度小于所述导电柱的宽度，且所述表面处理层遮盖所述导电柱并延伸到所述导电柱与所述接合垫之间的空间中。

9.根据权利要求1所述的半导体衬底结构，其中所述导电结构进一步包含在其所述第二导电表面上的凹部。

10.一种半导体封装，其包括：

半导体衬底结构，其包括：

导电结构，其具有第一导电表面和与所述第一导电表面相对的第二导电表面；以及

电介质结构，其遮盖所述导电结构的至少一部分，并具有第一电介质表面和与所述第一电介质表面相对的第二电介质表面，其中所述第一导电表面并非从所述第一电介质表面突出，所述第二导电表面从所述第二电介质表面凹进，其中所述电介质结构包含固化光敏树脂或由其形成，且所述电介质结构界定在所述第二电介质表面中的电介质开口以暴露所述第二导电表面的一部分；

半导体裸片，其电连接到所述第一导电表面；以及

模塑料，其遮盖所述半导体裸片和所述半导体衬底结构的一部分。

11.根据权利要求10所述的半导体封装，其中界定所述电介质开口的侧壁为曲状的。

12.根据权利要求10所述的半导体封装，其中所述电介质开口具有在所述第二电介质表面处的第一宽度和在所述电介质开口的中间部分处的第二宽度，且所述第一宽度大于所述第二宽度。

13.根据权利要求10所述的半导体封装，其中所述第一导电表面从所述第一电介质表面凹进。

14.根据权利要求10所述的半导体封装，其中所述半导体衬底结构的厚度是介于约20μm到约60μm范围内。

15.根据权利要求10所述的半导体封装，其中所述导电结构进一步具有球衬垫和安置在所述球衬垫的第一表面上的第一金属凸块，且所述电介质开口暴露所述球衬垫的第二表面的一部分。

16.根据权利要求10所述的半导体封装，其中所述导电结构进一步具有接合垫和安置在所述接合垫的第一表面上的导电柱。

17.根据权利要求16所述的半导体封装，其中所述导电结构进一步具有晶种层和表面处理层，所述晶种层的一部分安置于所述导电柱与所述接合垫之间，所述晶种层部分的宽度小于所述导电柱的宽度，且所述表面处理层遮盖所述导电柱并延伸到所述导电柱与所述接合垫之间的空间中。

18.根据权利要求10所述的半导体封装，其中所述导电结构进一步包含在其所述第二导电表面上的凹部。