[实用新型]一种降低开关损耗的单片开关电源驱动电路有效

专利信息
申请号: 201520257609.7 申请日: 2015-04-24
公开(公告)号: CN204615625U 公开(公告)日: 2015-09-02
发明(设计)人: 汪军;黄祖好;郑国浩 申请(专利权)人: 广东瑞德智能科技股份有限公司
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08;H02M1/32
代理公司: 广州广信知识产权代理有限公司 44261 代理人: 张文雄
地址: 510650 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 降低 开关 损耗 单片 开关电源 驱动 电路
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种降低开关损耗的驱动电路,特别是涉及一种降低开关损耗的单片开关电源驱动电路。属于开关电源技术领域。

背景技术

现有技术中,如何提高开关电源的转换效率及降低成本,一直是个技术难题。现有技术的开关电路,成本低的存在转换效率低的缺陷,转换效率较高的存在电路结构复杂或采用的元器件成本较高。虽然止前有人采用能降低开关损耗的单片开关电源驱动电路,但该现有单片开关电源由于电路结构不合理(未加入泄放电路),仅仅是从芯片驱动脚至开关管之间串一个电阻来驱动,存在如下不足:场效应管发热大、功耗多,电源转换效率仍然较低。

实用新型内容

本实用新型的目的,是为了克服现有技术中开关电源场效应管发热大,电源转换效率低,提供一种降低开关损耗的单片开关电源驱动电路,在保证增加成本非常少的前提下,提高转换效率,减小场效应管发热量而延长使用寿命。

本实用新型的目的可以通过如下措施达到:

一种降低开关损耗的单片开关电源驱动电路,包括单片开关电源芯片IC、高频变压器T1和开关管Q2,其结构特点在于:单片开关电源芯片IC的驱动脚PWM通过驱动电阻R1连接开关管Q2的G极,开关管Q2的D极连接高频变压器T1初级绕组的一端,高频变压器T1初级绕组的另一端连接电源HV;在开关管Q2的G极处设置泄放回路,该泄放回路使单片开关电源芯片IC的驱动脚PWM由高电平转为低电平时将开关管Q2的结电容的电量快速泄放。

本实用新型的目的可以通过如下措施达到:

进一步地,所述泄放回路由泄放PNP型三极管Q1构成,Q1的基极连接开关电源芯片IC的驱动脚PWM,Q1的发射极连接开关管Q2的G极,Q1的集电极连接开关管Q2的S极后接地。

本实用新型的有益效果是:

1、本实用新型由于在开关管Q2的G极处设置泄放回路,该泄放回路使单片开关电源芯片IC的驱动脚PWM由高电平转为低电平时将开关管Q2的结电容的电量快速泄放,因此可加快开关管Q2输出端电平的转换过程,达到提高转换效率的目的,具有转换高、减小场效应管的发热量而延长使用寿命的有益效果。

2、本实用新型由于结构简单、成本低廉,因此可应用在中、小功率开关电源,如家电类电器辅助电源、LED照明产品中,具有适用范围广的有益效果。

附图说明

图1是本实用新型具体实施例1的电路原理图。

具体实施方式

以下结合附图及实施例对本实用新型作进一步的详细描述:

具体实施例1:

参照图书1,本实施例包括单片开关电源芯片IC、高频变压器T1和开关管Q2,其结构特点在于:单片开关电源芯片IC的驱动脚PWM通过驱动电阻R1连接开关管Q2的G极,开关管Q2的D极连接高频变压器T1初级绕组的一端,高频变压器T1初级绕组的另一端连接电源HV;在开关管Q2的G极处设置泄放回路,该泄放回路使单片开关电源芯片IC的驱动脚PWM由高电平转为低电平时将开关管Q2的结电容的电量快速泄放。

本实施例中:

所述泄放回路由泄放PNP型三极管Q1构成,Q1的基极连接开关电源芯片IC的驱动脚PWM,Q1的发射极连接开关管Q2的G极,Q1的集电极连接开关管Q2的S极后接地。

单片开关电源芯片IC采用常规技术的单片开关电源芯片,高频变压器T1采用常规技术的高频变压器。

本实施例的工作原理如下:

参照图1,单片开关电源芯片IC的驱动脚PWM输出方波,当输出为高电平时通过驱动电阻R1驱动Q2开关管导通;当单片开关电源芯片IC的驱动脚PWM输出由高电平转为低电平时,开关管Q2的G极与S极之间存在结电容,由于此结电容在高、低电平转换时Q2自身不能快速的得到泄放,通过开关管Q2放大区的时间较长而消耗电量。加入泄放三极管Q1后,在高、低电平转换过程中该三极管Q1导通,将开关管结电容的电量快速泄放,达到提高转换效率、减小场效应管发热量而延长使用寿命的目的。

以上所述,仅为本实用新型较佳的具体实施例,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的范围内,根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变,都属于本实用新型的保护范围。

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