[实用新型]用于自旋电子器件钉扎层的快速热处理装置有效

申请号：	201520258284.4	申请日：	2015-04-27
公开（公告）号：	CN204680696U	公开（公告）日：	2015-09-30
发明（设计）人：	詹姆斯·G·迪克	申请（专利权）人：	江苏多维科技有限公司
主分类号：	H01L43/12	分类号：	H01L43/12;H01L43/08;H01L27/22;G01R33/09
代理公司：	苏州创元专利商标事务所有限公司 32103	代理人：	孙仿卫;段晓玲
地址：	215600 江苏***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	用于自旋电子器件钉扎层快速热处理装置
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【权利要求书】：

1.一种用于自旋电子器件钉扎层的快速热处理的装置，其特征在于：该装置包括快速热退火光源、反射罩、磁铁、晶圆，所述的反射罩包括至少一个透明绝缘层和一反射层，所述的磁铁用于产生恒定的磁场，所述透明绝缘层和所述反射层依次涂覆在所述晶圆上，所述光源用于通过图形化的所述反射罩发送入射光至所述晶圆的加热区域，通过控制所述的光源的曝光时间，让所述的晶圆上的加热区域加热到其反铁磁层的阻隔温度之上，然后在应用的磁场中冷却下来，关闭磁场。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：所述光源是单个灯泡或者灯泡阵列。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：所述装置还包括有一狭缝，用于限制光入射在晶圆的区域。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：所述的晶圆是可移动的，并设置在传送带上。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：所述的装置设置在快速热退火炉室中。

6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：所述的磁铁为永磁铁。

7. 根据权利要求1所述的装置，其特征在于：所述的磁铁为超导永磁铁。

8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：所述的反射罩包括有两层透明绝缘层和一层反射层，其中所述的反射层位于所述两层透明绝缘层的中间。

9. 根据权利要求8所述的装置，其特征在于：所述的透明绝缘层是TEOS，SiN或光刻胶。

10. 根据权利要求8所述的装置，其特征在于：所述反射层的材料是能够反射红外光、可见光或者紫外光的任一种材料。

11. 根据权利要求8所述的装置，其特征在于：所述的反射层的材料是金属。

12. 根据权利要求10所述的装置，其特征在于：所述的透明绝缘层为抗反射层。

13. 根据权利要求1所述的装置，其特征在于：所述的晶圆包括基片和MR薄膜层，所述基片的材料为硅且所述基片包括电子电路，所述MR薄膜层沉积在所述的基片上。