[实用新型]高亮度半导体激光器

权利要求书

1.高亮度半导体激光器，包括玻璃板（1）、磷光层（2）、栅极（3）、绝缘体（4）、电子发射尖锥（5）、发射极（6）、基板（7）、阴极（8）、侧板（9）、脊形主震荡区（10）、锥形增益放大区（11）、侧向周期波导限制结构（12）和基底（13），其特征在于，所述基板（7）上方设置有阴极（8），所述阴极（8）两端分别设置有绝缘体（4），所述绝缘体（4）上设置有栅极（3），所述的阴极（8）上方中心设置有发射极（6），所述发射极（6）与栅极（3）之间分别设置有电子发射尖锥（5），所述发射极（6）上方设置有磷光层（2），所述磷光层（2）上方设置有玻璃板（1），磷光层（2）下方设有基底（13），基底（13）的一侧设置前腔面（14），在前腔面（14）对侧的基底（13）侧面上设置后腔面（15），后腔面（15）贴近磷光层（2），脊形主震荡区（10）设置在靠近前腔面（14）的基底（13）中部，锥形增益放大区（11）设置在靠近后腔面（15）的基底（13）上，锥形增益放大区（13）与脊形主震荡区（10）连接，脊形主震荡区（10）另一侧正对电子发射尖锥（5），脊形主震荡区（10）两侧对称设置有至少一对侧向周期波导限制结构（12），所述玻璃板（1）、基板（7）、侧板（9）构成封闭结构。

2.根据权利要求1所述的高亮度半导体激光器，其特征在于，所述的电子发射尖锥（5）、基底（13）为两个或以上且电子发射尖锥（5）和基底（13）一一对应。

3.根据权利要求1所述的高亮度半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器内部处于高真空状态。

4.根据权利要求1所述的高亮度半导体激光器，其特征在于，所述侧板（9）为金属材质。