[实用新型]一种带凹坑的LED支架

说明书

技术领域

本实用新型属于LED技术领域，具体涉及一种带凹坑的LED支架，该支架可有效提高器件的整体发光效率。

背景技术

硅衬底LED具有成本低，导热导电性能好，具备成熟的器件加工工艺等优势，因此硅衬底GaN基LED制造技术已受到业界的普遍关注。而基于硅衬底的LED照明器件也将得到相应发展。

通常硅衬底LED底部有一层较厚的硅层，如果直接安装支架在平面底座上，一部分光会通过硅层散射到器件外部，影响整体光效。因此合理的器件结构对充分发挥光效有直接影响。

发明内容

为解决上述技术问题，本实用新型的目的在于提供一种带凹坑的LED支架，从而能够避免光在硅衬底层的散射损耗。

为达到上述目的，本实用新型的技术方案如下：

本实用新型提供一种带凹坑的LED支架，包括支架本体，所述支架本体包括基座，所述基座上设有凹坑，所述凹坑用于安装LED芯片的衬底层，并使所述LED芯片的发光层卡设在所述基座上，所述凹坑与所述衬底层相适配。

本实用新型的带凹坑的LED支架，在固定LED芯片衬底层的支架上通过机械或者化学方式加工与衬底相同尺寸的凹坑，使LED的衬底部分正好沉入凹坑中，同时在支架表面留出芯片的发光部分；蓝光LED芯片发出的光线进入衬底后，通过凹坑四周反射，重新被收集利用，从而减少光损耗。

在上述技术方案的基础上，本实用新型还可作出如下改进：

作为优选的方案，所述凹坑内设有热界面材料层。

采用上述优选的方案，增强散热反光效果。

作为优选的方案，所述基座两侧还设有散热片。

采用上述优选的方案，常规的支架只有底部设有散热片，该支架在两侧增设散热片，增大散热面积，提高散热效果，延长LED芯片的使用寿命。

作为优选的方案，所述基座选自陶瓷、玻璃、晶体或金属基座中的一种。

作为优选的方案，所述凹坑的尺寸为长716μm、宽563μm和深80μm。

采用上述优选的方案，该大小的凹坑能够使硅衬底LED芯片的底座正好固定在凹坑内，并且达到最后的反光效果。

作为优选的方案，所述基座上罩设有聚光罩，所述硅衬底LED芯片的发光层卡设在所述聚光罩内。

作为优选的方案，所述发光层为氮化镓发光层。

作为优选的方案，所述氮化镓发光层的厚度为5～7μm。

采用上述优选的方案，能够达到较好地反光效果，减少光损耗。

作为优选的方案，所述硅衬底层的厚度为150μm。

附图说明

图1为本实用新型的带凹坑的LED支架上安装LED芯片衬底层后的主视图之一；

图2为图1的俯视图；

图3为本实用新型的带凹坑的LED支架的结构示意图之一；

其中：

1.支架本体，101.基座，102.聚光罩，103.凹坑，104.热界面材料层，105.散热片，2.衬底层，3.发光层。

具体实施方式

下面结合附图详细说明本实用新型的优选实施方式。

为了达到本实用新型的目的，在一些实施方式中，如图1-2所示，本实用新型的带凹坑的LED支架，包括支架本体1，所述支架本体包括金属基座101，所述金属基座101上设有凹坑103，所述凹坑103用于安装LED芯片的衬底层2，并使所述LED芯片的发光层3卡设所述基座101上，所述凹坑103与底座2相适配；作为可选择的，所述基座101还可为陶瓷、玻璃或晶体基座。该带凹坑的LED支架，在固定LED芯片衬底层的支架上通过机械或者化学方式加工与衬底层相同尺寸的凹坑，使LED的衬底部分正好沉入凹坑中，同时在支架表面留出芯片的发光部分；蓝光LED芯片发出的光线进入衬底层后，通过凹坑四周反射，重新被收集利用，从而减少光损耗。

为了进一步地优化本实用新型的实施效果，在另外一些实施例中，如图3所示，所述凹坑103内设有热界面材料层104，能够增强散热反光效果。

为了进一步地优化本实用新型的实施效果，所述基座101两侧还设有散热片105。常规的支架只有底部设有散热片，该支架在两侧增设散热片，增大散热面积，提高散热效果，延长LED芯片的使用寿命。

为了进一步地优化本实用新型的实施效果，所述衬底层2为硅衬底层，作为可选择的方式，所述衬底层2还可为碳化硅衬底层或蓝宝石衬底层。