[实用新型]一种三相交流电机正反转控制电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及三相交流电机控制技术领域，特别涉及一种三相交流电机正反转控制电路。

背景技术

目前，控制三相交流电机正反转控制低成本的方式是采用机械式继电器或接触器触点切换实现，结构简单，成本低廉，但缺点是正反转切换过程中会出现拉弧，烧蚀触点，寿命短，并易造成相间短路失效和电磁干扰大等缺陷。

另外一种常见的控制电路是采用半导体可控硅作为功率输出元件，通过一些逻辑控制电路，输入端带延时、互锁并实现三相电机正反转功能。但缺点是成本较高，控制电路复杂，输入输出保护不足时易出现相间短路失效。

实用新型内容

为了克服现有技术中存在的缺陷，本实用新型提供一种三相交流电机正反转控制电路，具体的技术方案如下：

一种三相交流电机正反转控制电路，包括正转输入端F+、反转输入端R+、公共地端GND、输出端、输入控制电路和输出驱动电路，所述输入控制电路主要包括并联连接的稳压充电电路、光耦驱动电路和输入过压保护电路，所述输出控制电路主要包括并联连接的可控硅驱动电路、RC电路和输出过压保护电路。

进一步的，所述稳压充电电路由发光二极管D3和稳压二极管D4串联组成，所述发光二极管D3的正极与所述输入过压保护电路相连，所述发光二极管D3的公共负极与所述稳压二极管D4的阴极相连，所述稳压二极管D4的阳极与所述公共地端GND相连。

进一步的，所述的光耦驱动电路包括三端稳压器(IC1、IC2)和电容(C1、C2)，所述三端稳压器(IC1、IC2)的R端连接所述电容(C1、C2)的正极，K端与所述可控硅驱动电路相连，A端与公共地端GND连接。

进一步的，所述的光耦驱动电路包括第一光耦驱动电路和第二光耦驱动电路，所述第一光耦驱动电路包括三端稳压器IC1、电容C1、电容C3、电阻R5、电阻R6、二极管D2和三极管Q1组成，所述电容C1的正极还通过所述电阻R5后与所述稳压充电电路相连，负极与所述公共地端GND相连，所述三极管Q1的集电极与所述电容C1的正极连接，基极与所述电阻R6和所述二极管D2连接后连接到所述反转输入端R+,所述电容C3一端与所述三极管Q1的基极相连，另一端与所述三极管Q1的发射极相连后连接到所述公共地端GND；所述第二光耦驱动电路包括三端稳压器IC2、电容C2、电容C4、电阻R7、电阻R8、二极管D1和三极管Q2组成，所述电容C2的正极还通过所述电阻R7后与所述稳压充电电路相连，负极与所述公共地端GND相连，所述三极管Q2的集电极与所述电容C2的正极连接，基极与所述电阻R8和所述二极管D1连接后连接到所述正转输入端F+,所述电容C4一端与所述三极管Q2的基极相连，另一端与所述三极管Q2的发射极相连后连接到所述公共地端GND。

进一步的，所述的可控硅驱动电路包括光耦(P1、P2、P3、P4)、电阻(R9、R10、R11、R12)和电阻(R17、R18、R19、R20)，所述光耦(P1、P2、P3、P4)内部均包括发光二极管和光敏可控硅，所述光耦(P1、P2、P3、P4)内部输入侧连接发光二极管，其中，所述光耦(P1、P3)内部输入侧连接的发光二极管的正极与所述输入过压保护电路连接，所述光耦(P1、P3)内部输入侧连接的发光二极管的负极与所述光耦(P2、P4)内部输入侧连接的发光二极管的正极相串连，所述光耦(P2、P4)内部输入侧连接的发光二极管的负极与所述三端稳压器(IC1、IC2)的K端连接，所述光耦(P1、P2、P3、P4)内部输出侧连接光敏可控硅，其中，所述光敏可控硅与电阻(R9、R10、R11、R12)和电阻(R17、R18、R19、R20)串联后与所述RC电路并接，当所述光耦(P1、P2、P3、P4)内部输入侧发光二极管的电流达到触发阈值时，所述光耦(P1、P2、P3、P4)输出侧光敏可控硅导通，触发输出连接的可控硅导通。

进一步的，所述输入过压保护电路包括稳压二极管(D5、D6)及电阻R1、电阻R2、电阻R3和电阻R4，所述稳压二极管(D5、D6)连接在所述光耦(P1、P3)的正极与所述公共地端GND之间，所述稳压二极管D5的阴极通过电阻R3、电阻R1与所述稳压充电电路相连，所述稳压二极管D6的阴极通过电阻R4、电阻R2与所述稳压充电电路相连。