[实用新型]一种应力隔离的MEMS惯性传感器

权利要求书

1.一种应力隔离的MEMS惯性传感器，其特征在于：包括衬底(1)，以及位于衬底(1)上方的应力隔离层(2)，所述应力隔离层(2)通过第一锚点(20)固定在衬底(1)上，所述应力隔离层(2)位于第一锚点(20)两侧的位置悬置在衬底(1)的上方；在所述应力隔离层(2)的上端设置有敏感结构(4)。

2.根据权利要求1所述的MEMS惯性传感器，其特征在于：所述第一锚点(20)与应力隔离层(2)为一体的。

3.根据权利要求2所述的MEMS惯性传感器，其特征在于：所述应力隔离层(2)的第一锚点(20)与衬底(1)键合在一起。

4.根据权利要求1所述的MEMS惯性传感器，其特征在于：所述敏感结构(4)包括可动极板，所述可动极板通过第二锚点悬置在应力隔离层(2)的上方。

5.根据权利要求4所述的MEMS惯性传感器，其特征在于：所述第二锚点与可动极板为一体的。

6.根据权利要求4所述的MEMS惯性传感器，其特征在于：还包括与可动极板组成电容结构的固定极板(5)。

7.根据权利要求6所述的MEMS惯性传感器，其特征在于：所述固定极板(5)固定在应力隔离层(2)上与可动极板对应的位置。

8.根据权利要求6所述的MEMS惯性传感器，其特征在于：所述固定极板(5)固定在衬底(1)上与可动极板对应的位置；所述应力隔离层(2)上位于可动极板、固定极板(5)之间的位置设置有镂空(21)。

9.根据权利要求1所述的MEMS惯性传感器，其特征在于：所述衬底(1)、应力隔离层(2)、第一锚点(20)为单晶硅材料，在所述第一锚点(20)与衬底(1)之间还设有绝缘层。

10.根据权利要求1所述的MEMS惯性传感器，其特征在于：所述第一锚点(20)为一个，其分布在敏感结构(4)的中心位置；或者，所述第一锚点(20)为多个，该多个第一锚点(20)靠近敏感结构(4)的中心分布。