[实用新型]宽带隙高密度半导体开关器件有效
| 申请号： | 201520289550.X | 申请日： | 2015-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN204966510U | 公开（公告）日： | 2016-01-13 |
| 发明（设计）人： | M·萨焦;S·拉斯库纳;F·罗卡福尔特 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 意大利;IT |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 宽带 高密度 半导体 开关 器件 | ||
1.一种开关器件(100)，其特征在于，包括：
本体(101)，由半导体材料制成，具有表面(103)和第一导电性类型；
开关区域(102)，具有第二导电性类型，所述开关区域在所述本体(101)中从所述表面延伸，并且在所述开关区域(102)之间划定出表面部(104)；
肖特基接触金属部，在所述表面上，并且与所述表面部(104)直接接触；以及
欧姆接触金属部，在所述表面上，并且与所述开关区域直接接触，
其中所述肖特基接触金属部和所述欧姆接触金属部由具有均匀的化学物理特性的接触金属层(110)形成。
2.根据权利要求1所述的开关器件，其特征在于，所述接触金属层(110)是过渡金属的硅化物。
3.根据权利要求1或者2所述的开关器件，其特征在于，所述接触金属层(110)由在硅化镍与硅化钴之间选择的硅化物形成。
4.根据权利要求1或者2所述的开关器件，其特征在于，所述本体(101)由碳化硅制成。
5.根据权利要求1或者2所述的开关器件，其特征在于，所述本体(101)包括外延层(101B)，所述外延层(101B)具有块体部和面朝所述表面(103)的表面部(104)，其中所述表面部(104)具有比所述块体部更高的导电率水平、和比所述开关区域(102)更小的深度。
6.根据权利要求1或者2所述的开关器件，其特征在于，所述第一导电性是N型，并且所述第二导电性是P型。
7.根据权利要求1或者2所述的开关器件，其特征在于，所述接触金属层(110)具有第一厚度、并且被具有比所述第一厚度更大的第二厚度的金属层(112)覆盖。
8.根据权利要求1或者2所述的开关器件，其特征在于，形成结势垒肖特基二极管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体股份有限公司，未经意法半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520289550.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有应力补偿效应垒层的LED外延结构
- 下一篇：半导体器件和半导体二极管结构
- 同类专利
- 专利分类
