[实用新型]一种高亮正装LED芯片

权利要求书

1.一种高亮正装LED芯片，包括外延层、透明导电层、绝缘层、P型电极和N型电极，所述外延层包括自下而上制作在衬底上的N型层、发光层和P型层，外延层的一侧壁蚀刻至N型层的台面并制作有N型电极，所述透明导电层形成于P型层表面并制作有P型电极，其特征在于：所述绝缘层形成于透明导电层表面并自外延层侧壁延伸至N型层表面，P型电极和N型电极至少有一个电极是部分制作在绝缘层上。

2.根据权利要求1所述的高亮正装LED芯片，其特征在于：所述的N型电极是部分制作在绝缘层上，位于绝缘层上的N型电极下方包括依次设置的绝缘层、透明导电层、P型层、发光层、N型层和衬底。

3.根据权利要求1所述的高亮正装LED芯片，其特征在于：所述P型电极为仅由P电极焊盘构成或是由P电极焊盘和P金属扩展电极构成，N型电极由N电极焊盘和N金属扩展电极构成。

4.根据权利要求1所述的高亮正装LED芯片，其特征在于：所述N型层为N-GaN层，P型层为P-GaN层。

5.根据权利要求1所述的高亮正装LED芯片，其特征在于：所述绝缘层为SiO2、Al2O3或SiN_xO_y绝缘材料制成，其中x>0，0<y<2。

6.根据权利要求1所述的高亮正装LED芯片，其特征在于：所述透明导电层为ITO、ZnO、AZO或GZO材料制成。

7.根据权利要求1或6所述的高亮正装LED芯片，其特征在于：所述透明导电层上可以进行开孔。

8.根据权利要求1或2或3所述的高亮正装LED芯片，其特征在于：所述正装LED芯片还包括位于P型层和透明导电层之间的电流阻挡层。

9.根据权利要求8所述的高亮正装LED芯片，其特征在于：所述电流阻挡层上可以进行开孔。

10.根据权利要求8所述的高亮正装LED芯片，其特征在于：所述电流阻挡层在水平面上的投影不完全覆盖P型电极的投影。