[实用新型]LED2、4寸芯片兼容性沉积SIO2电极平台

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，具体涉及一种LED2、4寸芯片兼容性沉积SiO₂电极平台。

背景技术

在现代LED芯片生产制造过程中，芯片在外延生长后经外延前清洗、MESA光刻及光刻后去除光刻胶，然后需进行掩膜SiO2沉积，后序再经一些列化学、黄光、综合制程工序处理到ITO前清洗、ITO蒸镀、ITO光刻、ITO蚀刻去胶、ITO熔合处理后需再次进行沉积SiO2，而SiO2沉积需要使用特殊的设备—PECVD，而电极平台就是沉积SiO2必要组件。

目前国内外大部分沉积SiO₂电极平台设计时没考虑芯片兼容性和设备利用率，在实际生产过程中，芯片放置槽种类单一且芯片放置槽布局不合理。

导致在生产过程中，不同规格芯片不便于同时制程。

实用新型内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种LED2、4寸芯片兼容性沉积SIO₂电极平台，使得不同规格芯片可以同时制程。

(二)技术方案

为实现以上目的，本实用新型通过以下技术方案予以实现：

一种LED2、4寸芯片兼容性沉积SiO₂电极平台，包括腔体、铝电极圆柱和芯片载放平台，其特征在于，所述芯片载放平台上设置有多个4寸芯片放置槽，所述4寸芯片放置槽内设有多个2寸芯片放置槽， 所述铝电极圆柱在腔体底部，所述芯片载放平台水平放置于铝电极圆柱上。

优选的，所述铝电极圆柱高度为40mm。

优选的，所述4寸芯片放置槽和2寸芯片放置槽的直径两端均设有取片点，所述取片点的圆弧直径为6mm，所述取片点深度为0.45mm。

优选的，所述4寸芯片放置槽直径为101mm，深度为0.35mm。

优选的，所述4寸芯片放置槽有13个。

优选的，所述2寸芯片放置槽直径为51mm，深度为0.4mm。

优选的，所述2寸芯片放置槽有51个。

优选的，所述腔体内壁直径为530mm。

(三)有益效果

本实用新型提供了一种LED2、4寸芯片兼容性沉积SiO2电极平台，通过对芯片载放平台上设置的4寸芯片放置槽设重新布局，并在4寸芯片放置槽内设置2寸芯片放置槽，解决了芯片兼容性和设备利用率的问题，使得不同规格的芯片可以同时制程，在2寸芯片放置槽和4寸芯片放置槽两侧设有取片点，解决芯片取放位置不合理的问题，可根据个人操作习惯顺利将芯片从电极平台上取出。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例改进后2、4寸芯片放置槽结构示意图；

图2为本实用新型实施例改进后4寸芯片放置槽结构示意图；

图3为本实用新型实施例改进后2寸芯片放置槽结构示意图；

图4为本实用新型实施例改进后2、4寸芯片放置槽局部结构示意图；

图5为本实用新型实施例改进前4寸芯片放置槽结构示意图；

图中，1-腔体、2-4寸芯片放置槽、3-2寸芯片放置槽。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

实施例1：

结合图2，以4寸芯片为例进一步阐述：

本实用新型实施例提供一种LED2、4寸芯片兼容性沉积SiO₂电极平台，包括腔体、铝电极圆柱和芯片载放平台，所述腔体内壁直径为530mm，所述铝电极圆柱在腔体底部，所述铝电极圆柱高度为40mm，所述芯片载放平台水平放置于铝电极圆柱上，所述芯片载放平台上有4寸芯片放置槽和2寸芯片放置槽，所述4寸芯片放置槽内设置有2寸芯片放置槽，生产过程中，2寸芯片和4寸芯片可以同时制程。