[实用新型]一种IGBT芯片的结构

权利要求书

1.一种IGBT芯片的结构，包括ＭＯＳ场效应晶体管和三极管组成的ＩＧＢＴ单元，其特征在于：还包括控制开关Ｑ、电极N₂⁺和隔离罩，所述ＩＧＢＴ单元设置在隔离罩内，隔离罩设置在电极N₂⁺内，控制开关Ｑ分别与电极N₂⁺和三极管连接。

2.根据权利要求1所述的一种IGBT芯片的结构，其特征在于：当IGBT单元处于正向导通时，所述控制开关Ｑ处于关闭状态，PN结J₂处于反向偏置状态，J₁处于正偏状态。

3.根据权利要求2所述的一种IGBT芯片的结构，其特征在于：当IGBT单元处于反向导通时，所述控制开关Ｑ处于开启状态，PN结J₁处于反偏状态，PN结J₂处于正偏状态，P⁺形成电子流出受阻的势垒，电极N₂⁺和控制开关Ｑ连接的电路形成电子流出通路。

4.根据权利要求3所述的一种IGBT芯片的结构，其特征在于：所述ＩＧＢＴ单元反向导通时，电极N₂⁺、耗尽区N^-和P形成一个二极管，二极管的N端连接在三极管的集电极P⁺，二极管的P端与三极管的发射极连接。

5.根据权利要求4所述的一种IGBT芯片的结构，其特征在于：所述ＩＧＢＴ单元与隔离罩内壁相接触，隔离罩外壁与电极N₂⁺内壁相接触。

6.根据权利要求5所述的一种IGBT芯片的结构，其特征在于：所述隔离罩为由同一种绝缘材料制成的呈筒状的隔离罩。

7.根据权利要求1、2、3、4、5 或6所述的一种IGBT芯片的结构，其特征在于：所述隔离罩包括绝缘填充料和位于绝缘填充料表面的氧化层，绝缘填充料的膨胀系数与ＩＧＢＴ本体材料的膨胀系数接近。

8.根据权利要求1所述的一种IGBT芯片的结构，其特征在于：所述控制开关Ｑ与三极管的集电极P⁺连接。