[实用新型]一种用于半导体塑集成电路封装精定位装置有效
申请号: | 201520294775.4 | 申请日: | 2015-05-04 |
公开(公告)号: | CN204720431U | 公开(公告)日: | 2015-10-21 |
发明(设计)人: | 赵恺 | 申请(专利权)人: | 深圳市鑫立扬精密科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518103 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 半导体 集成电路 封装 定位 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体集成电路封装领域,具体为一种半导体塑集成电路封装精定位装置。
背景技术
精定位装置是在半导体集成电路封装模具中,闭合(合模时)控制上、下型腔位置精度的装置,保证了模具精度才能保证好产品的精度。现有的精定位装置结构如图1所示,只是上下的简单凹凸配合,定位导向只有单一的两侧面,容易导致上下模型腔定位不准,塑封出来的半导体集成电路上下塑封体错位,塑封的保护层厚薄不均,导致同一批产品外观差异很大,还更严重的问题是容易引起电路的短路等危险。
实用新型内容
本实用新型目的在于克服现有技术的不足,提出一种新型的半导体塑集成电路封装精定位装置。
本实用新型的技术方案是:半导体塑集成电路封装精定位装置,包括上定位块和下定位块,上定位块包括一方形底座,底座下表面设有一T字形凸块,T字形凸块与底座的两条对边垂直,位于底座中央,包括一水平凸块和从水平凸块中央突出的竖直凸块;下定位块也为方形,其上表面设有十字形凹槽,包括互相垂直的横凹槽和竖凹槽,两条凹槽在下定位块中央相交,横凹槽深度大于竖凹槽,等于竖直凸块到方形底座表面的距离,横凹槽宽度等于竖直凸块的宽度;竖凹槽深度等于水平凸块到方形底座表面的距离,宽度等于水平凸块的宽度;上定位块和下定位块嵌合,水平凸块嵌入竖凹槽内,竖直凸块嵌入横凹槽内。
优选的,上定位块下表面四个角上,以及下定位块上表面四个角上,各设有一个与模具固定用的沉头孔过孔。
优选的,上定位块T字形凸块两侧,以及下定位块竖凹槽两侧的相应位置,各设有一个与模具定位用的销钉孔。
优选的,上定位块T字形凸块的两条侧边,以及下定位块横凹槽的两侧,均设有斜边。
本实用新型的有益效果在于,下定位块采用十字形结构,其定位导向的配合面增加为4面,配合面积的增加,大幅度的提高了使用寿命,降低了更换备件的成本,提高产品成本的竞争力。同时减少了由于未能及时更换损坏备件而引起的产品品质危害。
附图说明
图1为现有技术的精定位装置示意图。
图2本实用新型的精定位装置示意图。
图3上定位块结构示意图。
图4为下定位块结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,进一步阐述本实用新型。如图2至图4所示,半导体塑集成电路封装精定位装置,包括上定位块1和下定位块2,上定位块包括一方形底座11,底座下表面设有一T字形凸块,T字形凸块与底座的两条对边垂直,位于底座中央,包括一水平凸块12和从水平凸块中央突出的竖直凸块13;下定位块也为方形,其上表面设有十字形凹槽,包括互相垂直的横凹槽21和竖凹槽22,两条凹槽在下定位块中央相交,横凹槽深度D1大于竖凹槽,等于竖直凸块到方形底座表面的距离D2,横凹槽宽度D3等于竖直凸块的宽度D4;竖凹槽深度D5等于水平凸块到方形底座表面的距离D6,宽度D7等于水平凸块的宽度D8;上定位块和下定位块嵌合,水平凸块嵌入竖凹槽内,竖直凸块嵌入横凹槽内。
其中,上定位块下表面四个角上,以及下定位块上表面四个角上,各设有一个与模具固定用的沉头孔过孔3。
其中,上定位块T字形凸块两侧,以及下定位块竖凹槽两侧的相应位置,各设有一个与模具定位用的销钉孔4。
定位块与模具连接要用螺钉连接,这些孔就是锁螺钉用的沉孔及过孔。
其中,上定位块T字形凸块的两条侧边,以及下定位块横凹槽的两侧,均设有斜边5。斜边的作用是当凸的一端插进凹的一端时导向用的,即偏一点点的话,可以导正过来。
采用本实用新型的结构,上定位块的十字形定位结构,其定位导向的配合面增加为4面,配合面积的增加,大幅度的提高了使用寿命,降低了更换备件的成本,提高产品成本的竞争力。同时减少了由于未能及时更换损坏备件而引起的产品品质危害。还有,上定位块的T字形精定位的结构,有台阶,最高位置只有两侧面为精定位导向,而再往下的台阶精定位导向的配合面为另外的两侧面,互成90度,而且此结构方便加工,可以通过磨床等手段加工;互成90度的定位配合面,可以有效地定位XY两个轴的方向,由于是磨床精加工,精度可以控制在0.005mm以内,完全满足封装精度0.02mm的要求。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征及本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解,本实用新型不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理,在不脱离本实用新型精神和范围的前提下,本实用新型还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市鑫立扬精密科技有限公司,未经深圳市鑫立扬精密科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520294775.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种硅基GaN HEMTs纵向功率器件
- 下一篇:测试模块及半导体器件母件
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造