[实用新型]一种剪刀型8英寸区熔单晶炉保温桶有效
申请号: | 201520297328.4 | 申请日: | 2015-05-11 |
公开(公告)号: | CN204676190U | 公开(公告)日: | 2015-09-30 |
发明(设计)人: | 姚长娟;高树良;靳立辉;张学强;刘旭光;王遵义;李宇佳 | 申请(专利权)人: | 天津中环半导体股份有限公司 |
主分类号: | C30B13/04 | 分类号: | C30B13/04 |
代理公司: | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人: | 胡京生 |
地址: | 300384 天津市西青区新技*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 剪刀 英寸 区熔单晶炉 保温桶 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种8英寸区熔单晶炉保温桶,特别涉及一种剪刀型8英寸区熔单晶炉保温桶。
背景技术
区熔单晶以其高纯度,高阻值而广泛应用于电力电子领域, 在实际生产中我们发现,硅单晶在区熔保持的过程中会产生开裂的情况,由于巨大的温度梯度产生的热应力,对于大直径区熔硅单晶要做到晶体完美性和一致性好,对晶体生长设备和晶体生长工艺均是一种巨大的考验,热场是真空电阻炉的核心部分,它的好坏直接影响到炉子的性能及其运营成本,硅单晶在进行单晶生长时,由于物象的转化(液相转化为固相),不断放出固相潜热,同时,晶体越拉越长,熔体液面不断下降,热量的传导、辐射等情况都在发生变化,现有的保温桶对防止温度梯度过大效果不明显,需要改进,且传统保温桶是闭环圆桶型,需要从单晶底部安装,十分不方便,单晶拉制过程受影响,特别是CFZ料致密度较差,容易断裂。
发明内容
鉴于现有技术存在的问题,本实用新型提供一种剪刀式结构,这种开环式结构可以直接安装在硅单晶外部,上料方便,不影响整个拉制单晶过程,减少CFZ料断裂的情况发生,具体技术方案是,一种剪刀型8英寸区熔单晶炉保温桶,包括桶体、把手、中轴,其特征在于:桶体为半圆通透桶体,把手前部为内径与桶体外圆柱面外径相同的半圆环、后部为剪刀把型,上面有中轴孔和长圆孔,把手的半圆环固定于桶体的外圆柱面中部成一体,两个装有把手的桶体用中轴穿在两个重叠的中轴孔内固定并使桶体可开合转动。
本实用新型的有益效果是结构简单,区熔硅单晶安装方便,可以提高真空电阻炉热场的稳定性,延长区熔炉的使用寿命。
附图说明
图1是本实用新型的结构正视图。
图2是本实用新型的结构俯视图。
具体实施方式
如图1、2所示,剪刀型8英寸区熔单晶炉保温桶,包括桶体1、把手2、中轴3,桶体1材质采用无氧铜,内部为不光滑状的半圆通透桶体,把手2前部为内径与桶体1外圆柱面外径相同的半圆环2-1、后部为剪刀把形状,上面有中轴孔2-2和长圆孔2-3,把手2的半圆环2-1固定于桶体1的外圆柱面中部成一体,两个装有把手2的桶体1用中轴3穿在两个重叠的中轴孔2-2内固定并使桶体1可开合转动,使用时,两桶体1将芯棒夹于其中,把手2的长圆孔2-3与区熔炉炉膛相连接。保温桶桶体1采用无氧铜,无氧铜无氢脆现象,导电率更高,加工性能和焊接性能好。内部采用为不光滑状,可以增加漫反射,有利于上方线圈的电磁感应。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津中环半导体股份有限公司,未经天津中环半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520297328.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。