[实用新型]MOSFET器件的隔离驱动电路有效
| 申请号： | 201520305701.6 | 申请日： | 2015-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN204669334U | 公开（公告）日： | 2015-09-23 |
| 发明（设计）人： | 吴景国 | 申请（专利权）人： | 北车大连电力牵引研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/689 | 分类号： | H03K17/689;H03K17/08 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 张洋;黄健 |
| 地址： | 116022 辽宁省大*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mosfet 器件 隔离 驱动 电路 | ||
1.一种MOSFET器件的隔离驱动电路，其特征在于，包括：低电压控制部分、隔离部分和第一MOSFET的驱动部分，其中，
所述低电压控制部分包括第一限流电阻、第二MOSFET和所述第二MOSFET的驱动电路，所述第一限流电阻的一端与所述隔离部分的输入端的第一输入线连接，所述第一限流电阻的另一端与高电压连接，所述第二MOSFET的漏极与所述隔离部分的输入端的第二输入线连接，所述第二MOSFET的源极接地，所述第二MOSFET的驱动电路包括第一滤波电容、第二滤波电容和第二限流电阻，所述第二限流电阻的一端与所述第二MOSFET的栅极电连接，所述第一滤波电容连接在所述第二MOSFET的漏极和栅极之间，所述第二滤波电容连接在所述第二MOSFET的源极和栅极之间；
所述第一MOSFET的栅极与所述隔离部分的输出端的第一输出线连接；
所述第一MOSFET的驱动部分包括第一电阻和第二电阻，所述第一电阻连接在所述第一MOSFET的源极和栅极之间，所述第二电阻的一端与所述隔离部分的输出端的第二输出线连接。
2.根据权利要求1所述的MOSFET器件的隔离驱动电路，其特征在于，所述第一MOSFET为P沟道MOSFET，所述第二MOSFET为N沟道MOSFET。
3.根据权利要求2所述的MOSFET器件的隔离驱动电路，其特征在于，所述第二电阻的另一端接地。
4.根据权利要求1所述的MOSFET器件的隔离驱动电路，其特征在于，所述第一MOSFET为第一N沟道MOSFET，所述第二MOSFET为第二N沟道MOSFET。
5.根据权利要求4所述的MOSFET器件的隔离驱动电路，其特征在于，所述第二电阻的另一端接高电压。
6.根据权利要求1-5任一项所述的MOSFET器件的隔离驱动电路，其特征在于，所述第二MOSFET的驱动电路还包括放电回路，所述放电回路与所述第二限流电阻并联，所述放电回路由第三电阻和二极管串联组成。
7.根据权利要求6所述的MOSFET器件的隔离驱动电路，其特征在于，所述第一MOSFET的驱动部分还包括稳压二极管，所述稳压二极管的一端连接所述第一MOSFET的源极，所述稳压二极管的另一端连接所述第二输出线。
8.根据权利要求7所述的MOSFET器件的隔离驱动电路，其特征在于，所述隔离部分为光耦。
9.根据权利要求8所述的MOSFET器件的隔离驱动电路，其特征在于，所述第一MOSFET的功率大于所述第二MOSFET的功率。
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