[实用新型]高塔雷电流测量装置有效

专利信息
申请号: 201520308728.0 申请日: 2015-05-13
公开(公告)号: CN204595059U 公开(公告)日: 2015-08-26
发明(设计)人: 李炎新;么梅利;杨波;高成;孙晨鸣;石立华;邱实 申请(专利权)人: 中国人民解放军理工大学
主分类号: G01R19/00 分类号: G01R19/00
代理公司: 北京市振邦律师事务所 11389 代理人: 李朝辉
地址: 210007 江苏*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 雷电 测量 装置
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种基于激光供能和光纤传输的高塔雷电流测量装置,特别是一种用于强电磁脉冲场干扰环境中的高塔雷电流测量装置。

背景技术

雷电是自然界大气中最强的放电现象,同时产生强烈的电磁辐射。雷电以其超强的电磁能量严重威胁电子设备的安全可靠运行。在微电子设备被广泛使用的今天,因雷电的作用而蒙受损失的事件每年都有很多,且有越来越多的趋势。而人们对雷电现象的认识还远远不够,尚有大量的科学问题有待研究。无论是对雷电机理研究,还是对雷电效应、雷电防护和雷电定位研究等,都需要对雷电流和雷电电磁脉冲进行测量。迄今为止,准确可靠的自然雷电波形在我国还非常少。

传统对雷电流全波测量的探头主要有两种:一种采用罗氏线圈,将罗氏线圈围绕被测量雷电流,利用变压器原理,得到雷电流信号;另一种是在雷电流通道中串联阻值非常小的大功率电阻(毫欧量级),俗称分流器,测量分流器上的电压,利用欧姆定律,可得到要测的雷电流信号。电流信号通过同轴屏蔽电缆或光电转换装置与后续的采集装置连接。这是目前普遍采用的雷电流测量方式,但其有一个致命的缺陷,就是抗电磁干扰能力差。如果采用同轴电缆传输雷电流信号,受到的电磁干扰是非常强的,甚至信号被湮灭;如果用光纤来传输雷电流信号,电光转换需要电源。如果采用电池供电,工作时间受电池容量限制;如果采用外电源供电,需要电缆来传输,又会引入电磁干扰。

实用新型内容

针对传统的雷电流测量中所存在电磁干扰的问题和不足,本实用新型的目的是设计一种基于激光供能和光纤传输的高塔雷电流测量装置,抗电磁干扰能力强,方便安装在容易受雷击的高塔上。

本实用新型的目的可以通过以下技术方案来实现:一种高塔雷电流测量装置,包括罗氏线圈、气体放电管、衰减器、光发射机、全介质光缆、光接收机及供能激光器,罗氏线圈、气体放电管、衰减器、光发射机安装在室外的高塔上并构成高塔部分,而光接收机和供能激光器安放在室内并构成室内部分,且高塔部分与室内部分由全介质光缆连接;所述的光发射机由半导体发光组件将雷电流电信号转换成光信号,并由激光供能的光电池供电;所述的光接收机将雷电流光信号转换成电信号。

所述气体放电管、衰减器、光发射机均安装在具有防水和屏蔽功能的金属壳内。

雷电流电信号分成大信号和衰减后的小信号进行双路传输。

光发射机直接由罗氏线圈输出的雷电流信号直接驱动。

光发射机的供能由全介质光缆送来的激光供能。

还包括由与半导体发光组件串联的调整电阻以及与调整电阻、半导体发光组件支路并联的TVS瞬变电压抑制二极管构成的第二级保护。

当流过半导体发光组件电流达到其能承受的最大电流时,调整电阻的电压降与半导体发光组件的电压降之和正好等于TVS瞬变电压抑制二极管限幅电压阈值。

本实用新型采用罗氏线圈作为电流探头,而罗氏线圈围绕被流过雷电流的引雷杆,输出与被测雷电流波形一致的小电流,直接驱动半导体发光组件,将雷电流的强弱信号直接转换成发光组件的光强信号,通过光纤传送到远端的光接收机。由于半导体发光组件是一个PN结,具有单向导电性,当负向雷电流流过时,发光组件截止、不发光,不能传输负向雷电流信号。通过给半导体发光组件预先通过一个直流偏置小电流,将其静态工作点提高,就能让正或负的雷电流通过并转换成光信号由光纤传输。为了得到这个直流偏置小电流,利用光纤将激光器发出的光能送来,再由光电转换器件(光电池)将光能转换为电能,给半导体发光组件提供一个直流偏置。这样完全由全介质的光纤来传输信号和提供能量,克服了电磁干扰的问题。

由于用于传输信号的半导体发光组件的动态范围不大,一般在40dB左右。而自然界的雷电流可从几千安培到几百千安培,动态变化范围非常大。为了增大测量动态范围,将罗氏线圈输出的雷电流信号分成两路传输(大量程和小量程),其中一路信号直接进行电光转换(第1路,灵敏度高),另一路先经过一个衰减器衰减后再进行电光转换(第2路,灵敏度低但测量范围大)。当雷电流较小时可由灵敏度高的第1路测量;当雷电流很大时可由测量范围大的第2路测量。这就保证了大的测量动态范围。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国人民解放军理工大学,未经中国人民解放军理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520308728.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top