[实用新型]一种高温低压扩散装置有效
| 申请号： | 201520313986.8 | 申请日： | 2015-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN204668282U | 公开（公告）日： | 2015-09-23 |
| 发明（设计）人： | 方结彬;秦崇德;石强;黄玉平;何达能;陈刚 | 申请（专利权）人： | 广东爱康太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528100 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高温 低压 扩散 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种高温低压扩散装置，其特征在于，包括扩散炉和真空泵，所述扩散炉内设有装载硅片的石英舟、加热区域，通入扩散气体的进气管以及排出扩散处理尾气的排气管；所述扩散炉与真空泵相通以使扩散炉内处于低压状态。
2.如权利要求1所述高温低压扩散装置，其特征在于，连接所述扩散炉与真空泵的管道上接有真空计。
3.如权利要求1所述高温低压扩散装置，其特征在于，所述扩散炉为管式扩散炉。
4.如权利要求1所述高温低压扩散装置，其特征在于，所述加热区域上具有若干辐射元件。
5.如权利要求1所述高温低压扩散装置，其特征在于，所述加热区域的工作温度范围为400～1300℃。
6.如权利要求1所述高温低压扩散装置，其特征在于，所述进气管从扩散炉的侧面延伸至炉体内部且位于石英舟上方，所述进气管上设有出气孔。
7.如权利要求6所述高温低压扩散装置，其特征在于，所述排气管从扩散炉的侧面延伸至炉体内部且位于石英舟下方，所述排气管上设有进气孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
