[实用新型]一种复合金属电极的太阳能电池有效
申请号: | 201520314048.X | 申请日: | 2015-05-15 |
公开(公告)号: | CN204792807U | 公开(公告)日: | 2015-11-18 |
发明(设计)人: | 石强;秦崇德;方结彬;黄玉平;何达能;陈刚 | 申请(专利权)人: | 广东爱康太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 胡枫 |
地址: | 528100 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 复合 金属电极 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种太阳能电池领域,尤其涉及一种复合金属电极的太阳能电池。
背景技术
太阳能电池为了输出电能,必须在电池p-n结两端形成具有紧密欧姆接触的导电材料。这种导电材料一般为金属材质,且习惯上称电池上表面的导电材料为正电极,下表面导电材料为背电极。丝网印刷是一项传统的工业化工艺技术,自从20世纪70年代就得到了广泛的应用。由于其在生产成本的降低中有着明显的优势,可进行大规模生产和降低生产周期,因此该技术也广泛地应用于太阳电池的生产中。目前产业化的太阳能电池电极制备就是借助丝网印刷技术,将金属的导电浆料透过丝网网孔在硅片上形成电极图案,然后通过高温烧结形成紧密欧姆接触的电极。产业化的正电极采用Ag电极,背电极采用Al背场和Ag背电极。
由于丝网印刷的局限性:(1)印刷中正电极不可避免会出现断栅和虚印现象;(2)丝网印刷的电极致密性不好,比电镀、磁控溅射技术制备的金属电极致密性差很多,导致电极的电阻值较大;(3)一次丝网印刷出来的金属电极高度不高,需要多次印刷。另外,Ag电极中Ag浆价格昂贵,不利于降低生产成本。因此,如何在丝网印刷的基础上,开发一种电池转换效率高,成本低的太阳能电池的正电极成为研究者关注的焦点。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题在于,提供一种复合金属电极的太阳能电池,可使电极的致密性提高和电阻值降低,从而提高电池的转换效率,降低生产成本。
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种复合金属电极的太阳能电池,包括:正电极、减反膜、N型发射极、P型硅、Al背电场和背电极,所述正电极、减反膜、N型发射极、P型硅、Al背电场和背电极从上至下依次连接;
所述正电极为由Ag电极、Cu电极和Sn电极组成的复合金属电极,所述Ag电极烧穿减反膜并与N型发射极形成欧姆接触,所述Cu电极覆盖在Ag电极上,而所述Sn电极覆盖在Cu电极上。
作为上述方案的改进,所述Ag电极的高度h1为7-12微米,宽度d1为20-30微米。
作为上述方案的改进,所述Cu电极的高度h2为5-10微米,宽度d2为30-50微米。
作为上述方案的改进,所述Sn电极的高度h3为0.1-1微米,宽度d3为32-52微米。
作为上述方案的改进,所述Cu电极和Sn电极与所述N型发射极不发生直接接触。
作为上述方案的改进,所述减反膜为单层氮化硅、多层氮化硅或氮化硅/二氧化硅叠层。
作为上述方案的改进,所述背电极为Ag电极。
实施本实用新型,具有如下有益效果:
本实用新型所述一种复合金属电极的太阳能电池,改变现有只采用Ag电极作为正电极的实施方式,本实用新型的正电极由内到外为Ag电极、Cu电极和Sn电极三个金属层组成的复合金属电极。由于采用磁控溅射的方式,形成致密性很好的Ag/Cu合金,从而降低电极的电阻值,增加电流的收集效率;而且在Cu电极外沉积一层Sn电极作为保护膜,防止Cu电极在使用过程中的氧化,并确保电极的焊接性能。另外,减少Ag浆用量而增加成本低的Cu原料,使得该复合电极的成本大大降低。整个复合正电极的高度明显提升,降低电池的串联电阻,使本实用新型所得的太阳能电池的转换效率比产业化的单一正面Ag电极太阳能电池的转换效率高0.2%-0.3%。
附图说明
图1是本实用新型一种复合金属电极的太阳能电池的结构示意图。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本实用新型作进一步地详细描述。
如图1所示,本实用新型提供一种复合金属电极的太阳能电池,包括:正电极1、减反膜2、N型发射极3、P型硅4、Al背电场5和背电极6,所述正电极1、减反膜2、N型发射极3、P型硅4、Al背电场5和背电极6从上至下依次连接;
所述正电极1为由Ag电极11、Cu电极12和Sn电极13组成的复合金属电极,所述Ag电极11烧穿减反膜2并与N型发射极3形成欧姆接触,所述Cu电极12覆盖在Ag电极11上,而所述Sn电极13覆盖在Cu电极12上。
需要说明的是,所述减反膜2为单层氮化硅、多层氮化硅或氮化硅/二氧化硅叠层。本实用新型所述背电极6为Ag电极11。
现有在硅片正面形成的正电极一般是根据设计好的正电极图案、线宽、线高等参数,采用丝网印刷Ag浆方式涂覆在硅片正面,待高温烧结后,形成Ag电极11。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的