[实用新型]功率半导体模块

权利要求书

1.功率半导体模块，包括三相全桥功率电路和半桥电压转换电路，三相全桥功率电路与半桥电压转换电路连接在一起，其中三相全桥功率电路是由3只半桥功率半导体模块并联组成或者是由1只六单元功率半导体模块组成，其特征在于：所述的半桥电压转换电路包括上桥臂的IGBT单元和下桥臂的二极管，IGBT单元的发射极与下桥臂的二极管的负极连接在一起，IGBT单元的集电极和下桥臂的二极管的正极分别通过功率电极连接高压电池。

2.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于：三相全桥功率电路是由IGBT单元Q1、IGBT单元Q2、IGBT单元Q3、IGBT单元Q4、IGBT单元Q5和IGBT单元Q6组成三相全桥结构，半桥电压转换电路包括上桥臂的IGBT单元Q7和下桥臂的二极管D，IGBT单元Q7的发射极与二极管D的负极连接在一起并且引出功率电极X，IGBT单元Q1的发射极和IGBT单元Q4的集电极连接在一起并且引出功率电极U，IGBT单元Q2的发射极和IGBT单元Q5的集电极连接在一起并且引出功率电极V，IGBT单元Q3的发射极和IGBT单元Q6的集电极连接在一起并且引出功率电极W，IGBT单元Q1、IGBT单元Q2、IGBT单元Q3和IGBT单元Q7的集电极连接在一起引出功率电极DC+，IGBT单元Q4、IGBT单元Q5和IGBT单元Q6的发射极与二极管D的正极连接在一起引出功率电极DC－。

3.根据权利要求2所述的功率半导体模块，其特征在于：从每个IGBT单元的基极上分别引出控制端子G1、G2、G3、G4、G5、G6和G7，并且从每个IGBT单元的发射极上分别引出控制端子E1、E2、E3、E4、E5、E6和E7，由此，从所述的功率半导体模块上共引出6只功率电极和14只控制端子。

4.根据权利要求1或2或3所述的功率半导体模块，其特征在于：所述的二极管是快恢复二极管。

5.根据权利要求1或2或3所述的功率半导体模块，其特征在于：所述的二极管是超快恢复二极管。

6.功率半导体模块，包括三相全桥功率电路和半桥电压转换电路，三相全桥功率电路与半桥电压转换电路连接在一起，其中三相全桥功率电路是由3只半桥功率半导体模块并联组成或者是由1只六单元功率半导体模块组成，其特征在于：所述的半桥电压转换电路包括上桥臂的MOSFET单元和下桥臂的二极管，MOSFET单元的源极与下桥臂的二极管的负极连接在一起，MOSFET单元的漏极和下桥臂的二极管的正极分别通过功率电极连接高压电池。

7.根据权利要求6所述的功率半导体模块，其特征在于：三相全桥功率电路是由MOSFET单元M1、MOSFET单元M2、MOSFET单元M3、MOSFET单元M4、MOSFET单元M5和MOSFET单元M6组成三相全桥结构，半桥电压转换电路包括上桥臂的MOSFET单元M7和下桥臂的二极管D0，MOSFET单元M7的源极与二极管D0的负极连接在一起并且引出功率电极X0，MOSFET单元M1的源极和MOSFET单元M4的漏极连接在一起并且引出功率电极U0，MOSFET单元M2的源极和MOSFET单元M5的漏极连接在一起并且引出功率电极V0，MOSFET单元M3的源极和MOSFET单元M6的漏极连接在一起并且引出功率电极W0，MOSFET单元M1、MOSFET单元M2、MOSFET单元M3和MOSFET单元M7的漏极连接在一起引出功率电极DC0+，MOSFET单元M4、MOSFET单元M5和MOSFET单元M6的源极与二极管D0的正极连接在一起引出功率电极DC0－。

8.根据权利要求7所述的功率半导体模块，其特征在于：从每个MOSFET单元的栅极上分别引出控制端子G10、G20、G30、G40、G50、G60和G70，并且从每个MOSFET单元的源极上分别引出控制端子S1、S2、S3、S4、S5、S6和S7，由此，从所述的功率半导体模块上共引出6只功率电极和14只控制端子。

9.根据权利要求6或7或8所述的功率半导体模块，其特征在于：所述的二极管是快恢复二极管。

10.根据权利要求6或7或8所述的功率半导体模块，其特征在于：所述的二极管是超快恢复二极管。