[实用新型]一种L波段单路偏压低噪声制冷放大器

权利要求书

1.一种L波段单路偏压低噪声制冷放大器，其特征在于，所述放大器包括输入匹配电路、直流偏置电路、信号放大电路和输出匹配电路；其中，

所述输入匹配电路的输出端与所述直流偏置电路的输入端、所述信号放大电路输入端连接在一起；所述信号放大电路输出端与所述直流偏置电路的输出端、所述输出匹配电路的输入端连接在一起构成所述放大器。

2. 根据权利要求1所述的放大器，其特征在于，所述输入匹配电路包括微带传输线（T1）、第一电容（C1）、微带传输线（T2）、第一电感（L1）和并联微带短截线（T4）,所述微带传输线（T1）的一端连接输入信号，另一端连接所述第一电容（C1）的一端，所述第一电容（C1）的另一端连接所述微带传输线（T2）的一端，所述微带传输线（T2）的另一端连接所述第一电感（L1）的一端，所述第一电感（L1）的另一端连接所述并联微带短截线（T4）的一端，并联微带短截线（T4）的另一端连接所述直流偏置电路的输入端和所述信号放大电路的输入端。

3. 根据权利要求1所述的放大器，其特征在于，所述信号放大电路包括第一级晶体管（G1）、极间电容（C2）和第二级晶体管（G2）；所述第一级晶体管（G1）的栅极为信号放大电路的输入端，第一级晶体管（G1）的漏极连接所述极间电容（C2）的一端，极间电容（C2）的另一端连接所述第二级晶体管（G2）的栅极，第二级晶体管（G2）的漏极为信号放大电路的输出端。

4. 根据权利要求1所述的放大器，其特征在于，所述直流偏置电路包括微带传输线(T3)、第一电阻（R1）、第二电阻（R2）、第三电阻（R3）、第四电阻（R4）、第五电阻（R5）、第六电阻（R6）、第七电阻（R7）、第八电阻（R8）、第九电阻（R9）、第十电阻（R10）、微带传输线（T10）、第三电容（C3）、第四电容（C4）、第六电容（C6）、第七电容（C7）、第八电容（C8），所述微带传输线（T3）的一端连接所述信号放大电路输入端，微带传输线（T3）的另一端连接所述第一电阻（R1）的一端，所述第一电阻（R1）的另一端分别连接所述第二电阻（R2）的一端和所述第四电容（C4）的一端，第四电容（C4）的另一端接地；第二电阻（R2）的另一端分别连接所述第三电阻（R3）的一端和所述第四电阻（R4）的一端，第三电阻（R3）的另一端接地，第四电阻（R4）的另一端分别通过微带线（T5）连接所述信号放大电路、连接所述第五电阻（R5）的一端、连接所述第六电容（C6）的一端、通过微带线（T11）连接直流电源接口（DC port），第五电阻（R5）的另一端接地，第六电容（C6）的另一端接地；所述微带传输线（T10）的一端连接所述信号放大电路，微带传输线（T10）的另一端连接所述第六电阻（R6）的一端，第六电阻（R6）的另一端分别连接所述第三电容（C3）的一端和所述第七电阻（R7）的一端，第三电容（C3）的另一端接地，第七电阻（R7）的另一端分别连接所述第八电阻（R8）的一端和所述第九电阻（R9）的一端，第八电阻（R8）的另一端接地，第九电阻（R9）的另一端分别通过微带线（T6）连接所述信号放大电路的输出端、通过微带线（T12）连接所述直流电源接口（DC port）、连接所述第十电阻（R10）的一端、连接所述第七电容（C7）的一端，第十电阻（R10）的另一端接地，第七电容（C7）的另一端接地；所述第八电容（C8）的一端接地，另一端连接所述直流电源接口（DC port）。

5. 根据权利要求3所述的放大器，其特征在于，所述第一级晶体管（G1）和第二级晶体管（G2）均为增强型高电子迁移率场效应晶体管ATF54143。

6. 根据权利要求1所述的放大器，其特征在于，所述放大器的电路基板为超低损耗PTFE陶瓷电路板R03003。